磁控濺射法制備p型透明導電二氧化錫薄膜.pdf_第1頁
已閱讀1頁，還剩71頁未讀， 繼續(xù)免費閱讀

下載本文檔

版權(quán)說明：本文檔由用戶提供并上傳，收益歸屬內(nèi)容提供方，若內(nèi)容存在侵權(quán)，請進行舉報或認領

文檔簡介

1、本文綜合介紹了各種制備SnO2薄膜的工藝方法、SnO2薄膜的特性及其應用，SnO2薄膜的p型摻雜機理，并分析了在相對低的溫度下獲得性能良好的p型TCO薄膜的途徑。本文實驗中采用不同的元素對SnO2進行p型摻雜，并通過不同的工藝參數(shù)來制備p型的SnO2薄膜的性能。通過直流磁控濺射合金靶沉積合金膜(摻雜金屬與Sn原子比均為0.2)，然后在空氣中熱氧化得到p型的SnO2薄膜的方法，分別對SnO2薄膜進行了摻In、摻Ga試驗，成功地獲得了p型的

2、SnO2：In和SnO2：Ga透明導電薄膜。實驗發(fā)現(xiàn)，600℃～700℃溫度范圍內(nèi)熱氧化得到的SnO2:In薄膜，在可見光范圍的平均透過率可以達到80％以上，空穴濃度最高可以達到9.61×1018cm-3。但用同樣方法制備的p型的SnO2：Ga薄膜的電學性能比SnO2：In薄膜的差。表明對磁控濺射法制備p型SnO2薄膜時，摻In比摻Ga更有效。實驗還通過反應濺射法沉積了SnO2：In薄膜，發(fā)現(xiàn)其電學性能遠不及先沉積合金膜，然后熱氧化法制

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明，都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等，如果需要附件，請聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙，網(wǎng)頁內(nèi)容里面會有圖紙預覽，若沒有圖紙預覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲空間，僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護處理，對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯，并不能對任何下載內(nèi)容負責。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當內(nèi)容，請與我們聯(lián)系，我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準確性、安全性和完整性, 同時也不承擔用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評論

0/150

提交評論