2023年全國(guó)碩士研究生考試考研英語(yǔ)一試題真題(含答案詳解+作文范文)_第1頁(yè)
已閱讀1頁(yè),還剩54頁(yè)未讀, 繼續(xù)免費(fèi)閱讀

下載本文檔

版權(quán)說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請(qǐng)進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)

文檔簡(jiǎn)介

1、采用直流磁控反應(yīng)濺射技術(shù)由金屬鑲嵌Zn/Mo靶制備高價(jià)態(tài)差摻鉬氧化鋅ZnO:Mo(ZMO)透明導(dǎo)電薄膜。研究了鉬摻雜量和基片溫度等參數(shù)對(duì)ZMO薄膜結(jié)構(gòu)和光電性能的影響。利用XRD、AFM等分析手段對(duì)薄膜進(jìn)行表征與分析;制備了結(jié)晶性良好、電阻率較低的ZMO薄膜。主要的研究結(jié)果及分析如下:
   1.從不同厚度ZMO薄膜AFM表面形貌圖中可以看出,ZMO薄膜樣品表面較為平整,薄膜表面顆粒致密。厚度增大時(shí),平均粗糙度、方均根粗糙度、峰

2、谷粗糙度都有所增大.說明薄膜厚度的增加,可以使晶粒增大,改善薄膜的結(jié)晶性能。同時(shí)隨著薄膜厚度的增加,薄膜的表面粗糙度也會(huì)增加。
   2.X光衍射譜(XRD)顯示ZMO薄膜具有六角纖鋅礦結(jié)構(gòu),沒有觀察到Mo的結(jié)構(gòu)特征譜線,表明在摻入鉬原子以后,ZnO:Mo薄膜并沒有改變純ZnO薄膜的結(jié)構(gòu)或形成新的晶格結(jié)構(gòu)。本研究中摻雜量的改變范圍對(duì)ZMO薄膜的晶格結(jié)構(gòu)以及晶粒尺寸的影響不大。在基片溫度為100-300℃時(shí),薄膜均為多晶薄膜,并具

3、有c軸擇優(yōu)取向的生長(zhǎng),但是在較低的溫度下生長(zhǎng)出來的薄膜結(jié)晶性能較差,衍射峰比較低,隨著基片溫度的增加,衍射峰逐漸增大,薄膜的結(jié)晶性能也逐漸提高。因此適當(dāng)提高基片的溫度,可以制備出結(jié)構(gòu)性能較好的多晶薄膜。
   3.在基片溫度為200℃、摻雜量為1.5wt%時(shí),制備出的ZMO薄膜最低電阻率為1.97×10-3Ω·cm,相應(yīng)載流子遷移率達(dá)37.0 cm2V-1s-1,載流子濃度為8.57×1019cm-3,在可見光區(qū)域的平均透射率達(dá)

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無(wú)特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請(qǐng)下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請(qǐng)聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁(yè)內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽,若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 眾賞文庫(kù)僅提供信息存儲(chǔ)空間,僅對(duì)用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對(duì)用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對(duì)任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請(qǐng)與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對(duì)自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評(píng)論

0/150

提交評(píng)論