PLZT薄膜電學(xué)和光學(xué)性能及電光器件原理研究.pdf

1、利用光學(xué)相控陣實(shí)現(xiàn)光掃描技術(shù)具有重要的應(yīng)用前景。其基本構(gòu)成單元是光移相器。采用具有電光效應(yīng)、響應(yīng)速度快、熱穩(wěn)定性高、耐強(qiáng)激光的高性能鐵電薄膜材料PLZT(鋯鈦酸鉛鑭)制作光移相器是達(dá)到該目的的重要技術(shù)途徑。本文探討了氬氧比、退火溫度、保溫時(shí)間對PLZT薄膜的微結(jié)構(gòu)、電性能及光學(xué)性能的影響；初步探索了利用PLZT電光薄膜實(shí)現(xiàn)光學(xué)相控陣的原理及其可行性。
　　優(yōu)化了工藝條件。在Pt/Ti/SiO2/Si上制備的PLZT（8/65/35

2、）薄膜經(jīng)過650oC并保溫20min后處理的薄膜介電性能及鐵電性能有明顯提高，當(dāng)電場為200kV/cm，PLZT薄膜的漏電流密度為8.6×10-8A/cm2。
　　沉積在ITO/石英玻璃襯底上的PLZT薄膜，在可見光范圍內(nèi)的透過率可達(dá)到80％左右，比優(yōu)化工藝前的透過率提高約10%；可見光范圍內(nèi)消光系數(shù)k小于0.015；折射率n變化范圍在2.1-2.6之間，波長為632.8時(shí)折射率n為2.2；禁帶寬度Eg=3.78eV。