PLZT鐵電電光薄膜制備工藝研究.pdf

1、作為電光薄膜材料，鋯鈦酸鉛鑭(簡(jiǎn)稱PLZT)憑借其優(yōu)異的鐵電、電光性能，被廣泛地應(yīng)用于光電子學(xué)、集成光學(xué)等領(lǐng)域。近年來，電光材料的制備、結(jié)構(gòu)、性能和應(yīng)用已經(jīng)成為國(guó)際上新型材料研究的一個(gè)熱點(diǎn)。 本文圍繞制備性能優(yōu)異的電光材料，從電光材料的選擇、材料配比、靶材制備、射頻磁控濺射鍍膜設(shè)備的研制、電光薄膜材料制作等方面進(jìn)行了研究。取得了以下主要實(shí)驗(yàn)結(jié)果： (1)研究發(fā)現(xiàn)，成分為PLZT8/65/35的結(jié)構(gòu)和電光性能最好。其最佳工

2、藝條件為：910℃預(yù)燒，1100℃燒結(jié)并保溫6小時(shí)；而制備透明導(dǎo)電薄膜SnO2陶瓷靶材的最佳工藝條件為：預(yù)燒、燒結(jié)溫度分別為1100℃和1500℃同時(shí)保溫6小時(shí)。并以此為基礎(chǔ)分別制備了致密、均勻、平整、直徑為φ212mm的PLZT和φ221mm的SnO2陶瓷濺射靶材； (2)為克服現(xiàn)有磁控濺射設(shè)備的不足，提出了一種新的磁控濺射方案，采用方案的設(shè)備具有：靶材利用率高、鍍膜均勻、成膜速度快等特點(diǎn)； (3)運(yùn)用AFM、XRD、