納米TiO-,2-及其復合膜電極的制備與光電催化能研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、本論文主要包括TiO<,2>膜電極、TiO<,2>復合膜電極和TiO<,2>納米管電極的制備、表征及其對PCP光電催化降解,詳細內(nèi)容如下:(1)利用不同的方法制備了不同的晶相、不同結構的TiO<,2>電極.在鈦片高溫熱氧化制備了金紅石型TiO<,2>電極;利用Sol-gel法制備了納米銳鈦型TiO<,2>、Fe<,2>O<,3>/TiO<,2>及ZnO/TiO<,2>復合納米電極;利用陽極氧化法和水熱法制備了TiO<,2>納米管電極.X

2、RD結果分析表明:熱氧化法制備的金紅石型TiO<,2>衍射峰窄,平均粒徑約40m;納米銳鈦型TiO<,2>、Fe<,2>O<,3>/TiO<,2>及ZnO/TiO<,2>的尺寸在15-20nm左右;陽極氧化法制備的TiO<,2>納米管管徑為70-90nm左右;而熱氧化-水熱法制備的TiO<,2>納米管管徑5nm左右.(2)對上述制備電極進行了光電化學性能研究.365nm為主波長的高壓汞燈發(fā)射的紫外光作為實驗中的光源.在0.6V外加偏壓下

3、,金紅石型TiO<,2>電極的光電流密度為0.025mA.cm<'-2>,光電轉換效率IPCE為5.3%;納米銳鈦型TiO<,2>、Fe<,2>O<,3>/TiO<,2>及ZnO/TiO<,2>復合納米電極光電流密度分別為0.03080、0.01867和0.04413mA.cm<'-2>,ZnO/TiO<,2>的光電轉換效率IPCE約25%;銳鈦TiO<,2>納米管電極的光電流密度為0.11mA.cm<'-2>,IPCE為47%,光能與

4、電能的轉換率%E<,eff>為12.2%;研究結果表明Zn<'2+>的摻雜在二氧化鈦中形成束縛光電子的中心,從而延長光生電子-空穴對的壽命,并有利于其分離,因而摻雜Zn<'2+>的TiO<,2>電極光電響應增強;摻雜的Fe<'3+>離子取代TiO<,2>的晶格點陣上的Ti<'4+>,發(fā)生缺陷生成反應,造成TiO<,2>中空穴濃度(h<'+>)增大而降低其導帶電子的濃度,并使二氧化鈦光響應減弱.(3)以PCP為目標物研究了上述電極的光電催

5、化氧化性能和PCP的光電催化降解因素.以金紅石型TiO<,2>光陽極研究了PCP的光電催化影響因素.實驗結果表明:PCP的光催化氧化反應與PCP的電化學作用間有明顯的協(xié)同作用;詳細探討和分析了PCP光電催化降解的主要影響因素(包括:外加偏壓、Na<,2>SO<,4>濃度、PCPⅠ初始濃度、溶液pH值和光強),在給定條件下,PCP光電催化降解動力學常數(shù)與外加偏壓、Na<,2>SO<,4>濃度和光強基本上呈線性相關.實驗得出了PCP光電催化

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