水楊酸修飾TiO-,2-納米管陣列和ZnIn-,2-S-,4-膜電極的制備及光電催化性能研究.pdf

1、本文以浸漬法制備了水楊酸修飾的有序TiO2納米管陣列電極。采用陽極氧化法制備有序TiO2納米管陣列電極，然后再浸漬于水楊酸溶液中得到水楊酸修飾的TiO2納米管陣列電極。水楊酸修飾TiO2納米管電極為有序的陣列結(jié)構(gòu)，納米孔呈開口狀，平均管徑為80nm，平均管長為550nm。水楊酸修飾會導(dǎo)致電極的吸收邊帶和光激發(fā)邊帶均有明顯的紅移并且使電極表面具有更多的羥基基團(tuán)。以水楊酸修飾TiO2納米管電極為工作電極，進(jìn)行2h紫外光光電催化和3h可見光光

2、電催化降解對硝基酚時(shí)，降解率均達(dá)到100％，與TiO2納米管電極相比(63％和79％)，水楊酸修飾提高了TiO2納米管電極的紫外和可見光電催化活性。文章采用電化學(xué)沉積法，制備出的具有枝葉狀的結(jié)構(gòu)的ZnIn2S4膜電極。ZnIn2S4膜電極的吸收均延伸至可見光區(qū)域，且禁帶寬度較小，具有較高的可見光響應(yīng)。不同電化學(xué)沉積時(shí)間對ZnIn2S4膜電極表面性質(zhì)和光電化學(xué)性能有很大影響。以電化學(xué)沉積20min的ZnIn2S4膜電極的可見和全光響應(yīng)最佳