Flash存儲器中電荷泵的研究.pdf

1、隨著90nmCMOS工藝的不斷成熟和完善，半導(dǎo)體存儲器(閃存)產(chǎn)品的工作電壓、工作功耗和生產(chǎn)成本也隨之快速降低。上世紀(jì)70年代末提出的基于集成電路的電荷泵電路模型已不能滿足實際器件操作時較低輸入電壓的要求，由此對電荷泵電路的研發(fā)設(shè)計提出了更高的要求。本文的撰寫圍繞著電荷泵電路性能的改進(jìn)展開了深入地探討。 論文對現(xiàn)有半導(dǎo)體存儲器中電荷泵電路進(jìn)行了系統(tǒng)的闡述，在具體分析若干典型電路的基礎(chǔ)上，同時結(jié)合自己的理解和在實際工作中的經(jīng)驗和體

2、會，針對現(xiàn)有電路的不足之處提出了改進(jìn)型電路模型，并闡述了該模型的優(yōu)點，從而對促進(jìn)電荷泵電路在半導(dǎo)體存儲器中的應(yīng)用和進(jìn)一步實用化作出了相應(yīng)的貢獻(xiàn)。 論文的創(chuàng)新點主要集中于以下三部分： ·針對文獻(xiàn)[2]中輸出電壓和級數(shù)成非線性關(guān)系的缺陷作出了分析，提出了相應(yīng)的解決方案； ·首次給出了電荷泵電路初始化的新型結(jié)構(gòu)，以此保證電路的正常開啟，并實現(xiàn)加快輸出電壓上升速度的功能； ·從電荷泵電路基本模型的理論出發(fā)，結(jié)合半