Flash存儲器中電荷泵的研究.pdf

1、隨著90nmCMOS工藝的不斷成熟和完善，半導體存儲器(閃存)產(chǎn)品的工作電壓、工作功耗和生產(chǎn)成本也隨之快速降低。上世紀70年代末提出的基于集成電路的電荷泵電路模型已不能滿足實際器件操作時較低輸入電壓的要求，由此對電荷泵電路的研發(fā)設計提出了更高的要求。本文的撰寫圍繞著電荷泵電路性能的改進展開了深入地探討。 論文對現(xiàn)有半導體存儲器中電荷泵電路進行了系統(tǒng)的闡述，在具體分析若干典型電路的基礎上，同時結合自己的理解和在實際工作中的經(jīng)驗和體

2、會，針對現(xiàn)有電路的不足之處提出了改進型電路模型，并闡述了該模型的優(yōu)點，從而對促進電荷泵電路在半導體存儲器中的應用和進一步實用化作出了相應的貢獻。 論文的創(chuàng)新點主要集中于以下三部分： ·針對文獻[2]中輸出電壓和級數(shù)成非線性關系的缺陷作出了分析，提出了相應的解決方案； ·首次給出了電荷泵電路初始化的新型結構，以此保證電路的正常開啟，并實現(xiàn)加快輸出電壓上升速度的功能； ·從電荷泵電路基本模型的理論出發(fā)，結合半