長(zhǎng)波長(zhǎng)可調(diào)諧WDM解復(fù)用光接收集成器件及其關(guān)鍵制備工藝的研究.pdf

1、北京郵電大學(xué)博士學(xué)位論文長(zhǎng)波長(zhǎng)可調(diào)諧WDM解復(fù)用光接收集成器件及其關(guān)鍵制備工藝的研究姓名：王興妍申請(qǐng)學(xué)位級(jí)別：博士專(zhuān)業(yè)：電磁場(chǎng)與微波技術(shù)指導(dǎo)教師：任曉敏20060422北京郵電大學(xué)博士學(xué)位論文摘要3我們利用選擇性濕法腐蝕，成功地制備出了IIlP／空氣隙的分布式布拉格反射鏡(DBR)，并且首次將該反射鏡結(jié)構(gòu)引入諧振腔增強(qiáng)型(RCE)光探測(cè)器：所制備的具有InP／空氣隙DBR結(jié)構(gòu)的長(zhǎng)波長(zhǎng)RcE光探測(cè)器，在波長(zhǎng)1585“m處獲得了約545％的

2、峰值量子效率，其半峰值寬度(FWHM)約68nm，以及8GHz的3dB響應(yīng)帶寬，3V反偏壓下暗電流僅為2nA，臺(tái)面面積為50斗m50肛m。并在此基礎(chǔ)上，結(jié)合特殊圖案透明歐姆接觸微結(jié)構(gòu)，首次實(shí)現(xiàn)了高速、高效入光耦合的RCE光探測(cè)器；該器件的響應(yīng)速率得到了顯著的提高，在上述相同臺(tái)面面積的情況下，獲得了18GHz的響應(yīng)帶寬。4研究了InP基材料系的可控自推移動(dòng)態(tài)掩膜濕法刻蝕技術(shù)。首次提出并研究了HCl／m／Cr03溶液對(duì)與InP襯底晶格匹配的

3、InyGalvAslxPx(X_O，O2，04，06)材料的選擇性腐蝕。在In，GalvAsl。Px外延層上制備出表面的均方根粗糙度小于165nm、傾角從05。到49。的各種楔形結(jié)構(gòu)。為研制新型111P基集成光電子器件提供了新的結(jié)構(gòu)自由度和工藝手段，該研究成果已申請(qǐng)了一項(xiàng)新的發(fā)明專(zhuān)利。5結(jié)合上述的低溫晶片鍵合技術(shù)與InP基楔形結(jié)構(gòu)制備技術(shù)，首次實(shí)現(xiàn)了高速、窄線(xiàn)寬、可調(diào)諧的長(zhǎng)波長(zhǎng)“一鏡斜置三鏡腔”光探測(cè)器。在此單一集成器件中，同時(shí)獲得了7