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1、鈦合金置氫加工工藝是將氫作為一種臨時(shí)合金元素,通過(guò)改變鈦合金的相組成和微觀結(jié)構(gòu),進(jìn)而達(dá)到改善鈦合金加工性能的目的。自從該技術(shù)被提出以來(lái),國(guó)內(nèi)外學(xué)者主要對(duì)置氫與除氫基礎(chǔ)理論,氫改善塑性加工性能及熱氫處理細(xì)化晶粒等方面進(jìn)行了大量的研究,然而對(duì)氫改善擴(kuò)散連接性方面的研究較少。本文針對(duì)置氫TC4鈦合金,分別開(kāi)展了直接和間接擴(kuò)散連接試驗(yàn),研究了置氫合金母材相組成和微觀組織演化演化規(guī)律,確定了擴(kuò)散連接接頭的界面結(jié)構(gòu)以及連接工藝參數(shù)對(duì)界面結(jié)構(gòu)的影響規(guī)
2、律,并對(duì)TiH2粉末和高氫含量置氫合金的脫氫分解動(dòng)力學(xué)進(jìn)行了系統(tǒng)分析,在此基礎(chǔ)上探討了氫致低溫?cái)U(kuò)散連接機(jī)理。
研究了置氫TC4鈦合金的相組成以及微觀組織演化規(guī)律。板狀原始合金由一定軋制方向的(α+β)組成,隨著氫含量的增加βH相和氫化物δ相依次出現(xiàn),微觀組織中軋制方向逐漸消失,當(dāng)氫含量增加到0.4wt.%以上時(shí)α′馬氏體大量形成。棒狀原始合金由等軸狀(α+β)組成,置氫0.15wt.%時(shí),初生α相在原始β晶界面處形核并長(zhǎng)大,隨
3、后β相中聚集的氫導(dǎo)致了片層狀(βH+α)的形成,而置氫0.3wt.%時(shí),較高的氫含量導(dǎo)致了共析產(chǎn)物(α+δ)和α′馬氏體的形成。
直接擴(kuò)散連接了置氫TC4鈦合金,分析了其界面結(jié)構(gòu)以及工藝參數(shù)對(duì)界面結(jié)構(gòu)的影響。接頭界面處只有擴(kuò)散孔隙的存在,且隨著連接溫度、連接時(shí)間、連接壓力、合金中氫含量以及加熱速率的升高,界面處的擴(kuò)散孔隙數(shù)量逐漸減少且尺寸逐漸變??;高含氫量的置氫合金在快速升溫下擴(kuò)散連接溫度降低了大約150℃左右。在緩慢加熱條件
4、下,合金中含氫不穩(wěn)定相逐漸發(fā)生分解,在氫的作用下合金元素發(fā)生了充分的擴(kuò)散。在快速加熱條件下,含氫不穩(wěn)定相幾乎同時(shí)發(fā)生分解,合金元素?cái)U(kuò)散不充分且在快速的冷卻速度下導(dǎo)致大量α′馬氏體形成。
采用Ni、Al、Nb和Ti中間層間接擴(kuò)散連接了置氫TC4鈦合金,分析了各類(lèi)擴(kuò)散偶中接頭的界面結(jié)構(gòu)。采用Ni中間層時(shí)接頭界面處分別生成了β相變區(qū)、Ti2Ni、TiNi和TiNi3,采用Al中間層時(shí)界面處只生成TiAl3,采用Nb中間層時(shí)界面處只生
5、成固溶體層。在相同的連接工藝參數(shù)下隨著氫含量的增加,接頭界面處擴(kuò)散層的厚度逐漸增加。采用Ti中間層時(shí),接頭界面只由擴(kuò)散孔隙組成,且在相同連接工藝參數(shù)下隨著氫含量的增加,擴(kuò)散孔隙數(shù)量及尺寸逐漸減小。
置氫TC4鈦合金在600℃~950℃之間脫氫,而高氫含量置氫合金中氫主要以δ氫化物的形式存在。詳細(xì)研究了TiH2粉末的脫氫分解動(dòng)力學(xué),其分解過(guò)程包括以下幾個(gè)步驟:TiH2→TiH1.5+H2↑;δ→βH+H2↑;βH→βH+H2↑和
6、βH→αH;βH→αH+H2↑。在此基礎(chǔ)上確定了置氫0.5wt.%合金的脫氫分解動(dòng)力學(xué),具體脫氫分解過(guò)程如下:TiH1.5~2→TiH1.5+H2↑;δ→βH+H2↑;βH→βH+H2↑和βH→αH+H2↑。借助動(dòng)力學(xué)模型探討了置氫TC4鈦合金低溫?cái)U(kuò)散連接機(jī)理,氫的加入導(dǎo)致了在孔隙閉合過(guò)程中擴(kuò)散系數(shù)的增大,也導(dǎo)致了變形和蠕變的改善,因而其擴(kuò)散連接性得到了改善。且較快速度下升溫能保證在擴(kuò)散連接前,氫幾乎不逸出,從而保證了活性氫含量,這有利
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