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文檔簡介
1、本文采用水熱法制備納米ZnO材料。并從形貌控制和發(fā)光機理兩方面進行了討論。 形貌控制: 1.在四甲基氫氧化銨(TMAH)溶液中成功地在Zn片基底上制成ZnO納米棒陣列,并實現(xiàn)對陣列取向性及納米棒直徑的控制; 2.固定TMAH濃度為0.15 mol/L,引入甲醇降低體系反應速率,得到了缺陷濃度很小,高質(zhì)量結晶的ZnO納米棒與納米線的混合結構; 3.采用不同的絡合劑得到的納米ZnO粉體在形貌上存在一定差異。摻
2、雜Sb3+,獲得選擇性的氣敏特性。 發(fā)光機理: 本文從反應式中Zn,O兩種元素的化學計量比出發(fā)考慮,設計了缺氧與富氧兩種生長系統(tǒng),以此改變產(chǎn)品中的缺陷組成。光致發(fā)光的結果證明如下結論: 1.紫外區(qū)380nm附近的本征發(fā)射強度與納米棒的直徑呈正比關系; 2.可見光區(qū)525nm附近發(fā)射對應O空位Zn填隙締合缺陷能級至價帶的躍遷; 3.由于ZnO呈N型半導體特征,富氧系統(tǒng)得到的產(chǎn)品缺陷組成將變得十分復雜
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