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1、光波導(dǎo)即為折射率高的區(qū)域被折射率低的區(qū)域包裹而成的結(jié)構(gòu),它可以把光限制在較小的區(qū)域內(nèi)傳播以提高光密度,從而更好的利用非線性晶體的非線性性質(zhì)或者降低激光材料的泵浦閾值。光波導(dǎo)是集成光學(xué)的基本單元,同時(shí)也是全光網(wǎng)絡(luò)傳輸?shù)幕A(chǔ),以其獨(dú)特的性能、高集成化以及規(guī)模生產(chǎn)的低成本,在各種光器件的制造中和現(xiàn)代光通信領(lǐng)域中起著極其重要的作用。近年來(lái)關(guān)于波導(dǎo)激光的研究也成為一個(gè)熱點(diǎn),而它的必經(jīng)之路就是在激光晶體上形成波導(dǎo)結(jié)構(gòu)。因此,研究人員一直在探索有效的
2、方法來(lái)制備性能優(yōu)良的光波導(dǎo)?,F(xiàn)在常用的制備波導(dǎo)的方法主要有擴(kuò)散、交換、薄膜沉積和離子注入等,其中離子注入技術(shù)作為一種成熟的材料表面改性技術(shù),引起了人們廣泛的關(guān)注。迄今為止,人們已經(jīng)利用離子注入技術(shù)在包括光學(xué)晶體、玻璃、半導(dǎo)體以及有機(jī)聚合物在內(nèi)的大量光學(xué)材料中形成了光波導(dǎo)結(jié)構(gòu),取得了許多重要的進(jìn)展,因此離子注入技術(shù)已經(jīng)成為制備光波導(dǎo)的有效手段。 對(duì)于離子注入光學(xué)晶體形成的光波導(dǎo)(特別是具有明顯雙折射性質(zhì)的晶體),由于注入離子原子質(zhì)
3、量的差異,輕離子注入與重離子注入形成波導(dǎo)有著顯著的不同。輕離子注入光學(xué)晶體后,在射程的末端會(huì)因?yàn)樽⑷腚x子的沉積而形成一個(gè)折射率降低的區(qū)域而形成位壘型的光波導(dǎo)。這種波導(dǎo)主要依靠光學(xué)位壘和空氣構(gòu)成光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)。然而輕離子注入的一個(gè)主要問(wèn)題是形成波導(dǎo)的注入劑量較高,一般在~1016ions/c㎡,從而大大的增加了成本。重離子注入則與輕離子注入不同,重離子注入晶體材料在其離子射程內(nèi)對(duì)晶格造成擾動(dòng),導(dǎo)致晶體雙折射性質(zhì)的降低,使得注入?yún)^(qū)較低的折射率增
4、高,因此其波導(dǎo)主要依賴于材料表面形成的折射率增加層,且形成的波導(dǎo)具有方向性。另外,這種方法具有注入時(shí)間短、劑量低(~1014ions/c㎡)、成本低等優(yōu)點(diǎn)。 keV離子注入是一種已經(jīng)在半導(dǎo)體摻雜中廣泛應(yīng)用了的技術(shù),它與MeV離子注入相比有著注入束流大、價(jià)格便宜等優(yōu)點(diǎn),而且其形成的波導(dǎo)結(jié)構(gòu)與MeV離子注入相比,有著較小的尺寸。用keV的離子注入來(lái)形成光波導(dǎo)可以降低成本,更有利于離子注入光波導(dǎo)的大規(guī)模工業(yè)化生產(chǎn)。 本文主要研
5、究利用離子注入方法分別在釹摻雜的鈣鈮鎵石榴石晶體(Nd:Ca3Nb1.5Ga3.5O12,Nd:CNGG)、近化學(xué)計(jì)量比鈮酸鋰(StoichiometricLiNbO3,SLN)、鈦酸鉍(Bi12TiO20,BTO)等晶體材料上形成光波導(dǎo),對(duì)光波導(dǎo)的導(dǎo)波模式和退火行為進(jìn)行了研究,利用端面耦合法測(cè)試了光波導(dǎo)的近場(chǎng)光強(qiáng)分布,優(yōu)化離子注入光波導(dǎo)的形成條件;采用穩(wěn)態(tài)熒光光譜儀對(duì)部分樣品進(jìn)行了光致發(fā)光譜(PL)的測(cè)量;利用紫外-可見(jiàn)-近紅外分光光
6、度計(jì)測(cè)試了部分樣品的透過(guò)譜與吸收譜;用SRIM2006程序模擬注入過(guò)程,研究離子注入所導(dǎo)致的晶體的損傷情況,對(duì)離子注入波導(dǎo)的形成機(jī)理進(jìn)行了探討。主要結(jié)果如下: 釹摻雜的鈣鈮鎵石榴石(Nd:Ca3Nb1.5Ga3.5O12,Nd:CNGG)晶體與同屬一個(gè)晶系的Nd:YAG相比,吸收譜線有大的加寬,而熒光譜線出現(xiàn)非均勻加寬,使得Nd:CNGG激光器表現(xiàn)出非均勻加寬特性。該晶體在800nm激光二極管發(fā)射波長(zhǎng)區(qū)有寬吸收帶,因此很適合激光
7、二極管泵浦,可做成全固態(tài)激光二極管泵浦的激光器。用能量為500keV、劑量為2×1016ions/c㎡的He+離子注入到Nd:CNGG晶體形成了平面光波導(dǎo)。用RCM擬合了波導(dǎo)區(qū)的折射率分布,與SRIM擬合的核能量損傷分布形狀吻合的比較好,說(shuō)明核能量損失是形成波導(dǎo)區(qū)折射率位壘的主要原因。用FS920穩(wěn)態(tài)熒光光譜儀對(duì)未注入的Nd:CNGG與注入He+離子后的Nd:CNGG樣品進(jìn)行了光致發(fā)光譜(PL)的測(cè)量。另外,用同樣的方法分別對(duì)注O+、H
8、+的Nd:CNGG樣品進(jìn)行了研究。 鈮酸鋰晶體是一種重要的多功能光學(xué)晶體。它具有優(yōu)良的非線性光學(xué)性質(zhì)以及電光性質(zhì),現(xiàn)已成為重要的集成光電子學(xué)材料。通常所指鈮酸鋰晶體如非特殊說(shuō)明都是同成分鈮酸鋰(CLN),其Li/Nb比約為48.4/51.6,由于Li離子的缺乏導(dǎo)致空位缺陷影響其光學(xué)性質(zhì)。近化學(xué)計(jì)量比鈮酸鋰(SLN)提高了Li/Nb比,使其接近于1:1,與CLN相比提高了鈮酸鋰晶體的性能參數(shù)。用4.5MeV的O離子,劑量6×101
9、4ions/c㎡,注入z切SLN晶體,形成了平面光波導(dǎo)結(jié)構(gòu),測(cè)量了波導(dǎo)的偏振特性,利用端面耦合的方法測(cè)量了平面光波導(dǎo)的近場(chǎng)光強(qiáng)分布,利用SRIM模擬得到的數(shù)值對(duì)波導(dǎo)的成因進(jìn)行了分析與探討。 BMO(M可以為Si、Ge、Ti)晶體屬于軟鉍礦結(jié)構(gòu),是性能優(yōu)良的光折變晶體。鈦酸鉍Bi12TiO20(BTO)晶體和它的同型晶體硅酸鉍Bi12SiO20(BSO)、鍺酸鉍Bi12GeO20(BGO)是一類很有前途的光折變材料。他們有許多相似
10、之處,都具有立方I23點(diǎn)群對(duì)稱性,都是順電相晶體,都是光學(xué)各向同性的,都具有壓電性和聲光效應(yīng),其電光效應(yīng)系數(shù)大,光學(xué)性能優(yōu)越,在實(shí)時(shí)動(dòng)態(tài)全息記錄中,它們的靈敏度高,響應(yīng)速度快,都是很好的全息記錄材料。但和他們相比,BTO在許多性能上更優(yōu)越,比如:旋光度小,電光系數(shù)大,紅光區(qū)的靈敏度高,因此BTO晶體是一種很有潛力的光折變?nèi)⒂涗洸牧?。用能量?.5MeV、劑量為6×1014ions/c㎡的氧離子注入BTO晶體形成了平面光波導(dǎo),用棱鏡耦合
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