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1、目前在光通信和集成光學(xué)領(lǐng)域,對(duì)于各種集成光電子器件和半導(dǎo)體激光器件的研究都要涉及非線性光波導(dǎo)。為此了解和掌握非線性光波導(dǎo)的傳輸特性對(duì)集成光學(xué)器件的研究、測(cè)量和制作都具有重要的實(shí)際意義。 本文基于物理意義清晰的轉(zhuǎn)移矩陣法對(duì)LNN型非線性平面光波導(dǎo)傳輸特性進(jìn)行了分析和研究,主要工作如下: 1.在查閱了大量國(guó)內(nèi)外有關(guān)介質(zhì)光波導(dǎo)的文獻(xiàn)并結(jié)合國(guó)內(nèi)外有關(guān)非線性光波導(dǎo)的理論和應(yīng)用的最新發(fā)展現(xiàn)狀的基礎(chǔ)上確立了本論文的選題工作。
2、2.從波動(dòng)方程出發(fā),采用轉(zhuǎn)移矩陣法分析了芯區(qū)和襯底為非線性介質(zhì)、覆蓋層為線性介質(zhì)結(jié)構(gòu)非線性平面光波導(dǎo)的傳輸特性,解析地表達(dá)了TE模的本征方程,給出了電場(chǎng)強(qiáng)度分布的精確解,并以圖形方式直觀描述了電場(chǎng)強(qiáng)度和功率在LaNN型光波導(dǎo)橫截面上的分布特性。 3.對(duì)于TM模,因?yàn)樗袃蓚€(gè)電場(chǎng)分量,使得直接從電場(chǎng)強(qiáng)度出發(fā)研究TM的傳播特性難度很大。本文采用新的方法,先利用磁場(chǎng)強(qiáng)度分布滿足的亥姆霍茲方程并利用轉(zhuǎn)移矩陣法求得磁場(chǎng)強(qiáng)度,在此基礎(chǔ)上根據(jù)
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