水溶液體系電沉積SmCo薄膜的制備工藝及微結(jié)構(gòu)的研究.pdf

1、由于SmCo薄膜具有非常好的磁性，使其在高密度磁存儲器和微機電系統(tǒng)（MEMS）上具有重要的應(yīng)用前景。本文采用直流電沉積方法，從水溶液中制備了Co及SmCo合金薄膜。其具體的工作如下： 1.采用直流恒壓電沉積法制備了Co單質(zhì)薄膜。通過掃描電鏡（SEM）對所制備的Co薄膜進行了形貌觀測。觀測表明，沉積膜表面上的顆粒大小基本均一，顆粒的直徑約為200～300nm；由X射線衍射儀（XRD）檢測Co沉積膜的結(jié)構(gòu)，結(jié)果表明，沉積膜具有六方晶

2、體結(jié)構(gòu)。 2.采用直流恒壓電沉積法制備了Sm-Co合金薄膜。 通過能譜分析儀（EDS）檢測了沉積膜的成份，檢測結(jié)果表明：在鍍液中沒有甘氨酸的情況下，沉積膜沉積膜中只有Co的成份；而有甘氨酸存在的情況下，沉積膜中含有Sm、Co的成份，說明，要使Sm離子在Co離子的誘導(dǎo)下發(fā)生了共沉積，必須要有甘氨酸的存在。而且，沉積膜中的成份會隨電壓的變化而發(fā)生變化，實驗結(jié)果表明，當(dāng)電壓較低的時候，隨著電壓的升高，沉積膜中Sm的含量增加，但

3、是當(dāng)電壓達到某一值時，沉積膜中Sm的含量，隨著電壓的升高反而會下降。 利用X射線衍射儀（XRD）檢測了熱處理前后沉積膜的結(jié)構(gòu)。結(jié)果表明：沉積膜為非晶態(tài)結(jié)構(gòu)，經(jīng)過熱處理后，沉積膜出現(xiàn)了Sm2Co7的六方晶相結(jié)構(gòu)。 通過通過掃描電鏡（SEM）觀察了Cu片基底和磁控濺射Cu基底的表面形貌，觀察的結(jié)果表明：在Cu片上所制備的薄膜和在磁控濺射Cu基底上制備的薄膜在形貌上有很大的不同，這說明，基底對沉積膜的表面形貌是有影響的。另外，