MOCVD設備反應室的設計與分析.pdf

1、金屬有機物化學氣相淀積(Metal Organic Chemical Vapor Deposition，簡稱MOCVD)自20世紀60年代首次提出以來，經過70年代至80年代的發(fā)展，90年代已經成為砷化鎵、磷化銦等半導體材料外延生長制備的核心技術。到目前為止，從材料和器件性能及生產成本綜合來看還沒有其它方法能與之相比。
　　 因為MOCVD在制備GaN藍光LED等方面具有廣泛的應用前景和顯著的市場需求。在產業(yè)化規(guī)模加大的同時，也

2、導致國際性相互之間嚴重的技術保密和封鎖，嚴重阻礙了研究的進展速度。從III族氮化物半導體研究的現狀和發(fā)展趨勢看，這種情況短時期內不會有大的改變。由于進口設備價格和維護費用非常昂貴，我國必須要進行該領域研究，必須要有自己的核心工藝和核心設備，尤其是MOCVD設備，必須盡快實現技術突破和產業(yè)化。
　　 我國現階段MOCVD設備研制尚處于起步階段，很多核心技術都不成熟。尚未解決的問題很多，比如自主知識產權，成本控制，計算機模擬仿真等，

3、都與國際水平相差甚遠。大多數研究機構由于種種原因，甚至于完全沒有能力自主制造MOCVD設備。
　　 本文即在此背景下對MOCVD設備的結構，尤其是反應室設計與改進等內容進行了較深入的研究。主要研究結果如下：
　　 1.成功地參與了GaN晶體生長用MOCVD系統(tǒng)研制。本人所在課題組在西電第一代MOCVD設備研制的基礎上經過深入研究，提出第二代MOCVD系統(tǒng)設計方案。并著重在第一代反應室設計的基礎上進行完善與優(yōu)化，設計一個可