X波段DRO頻率源的研究.pdf

1、隨著現(xiàn)代微波電子設(shè)備等技術(shù)的發(fā)展，尋求更低相位噪聲和更高穩(wěn)定度的本振源成為發(fā)展的主要趨勢。介質(zhì)諧振壓控振蕩器(DRVCO)由于其優(yōu)異的噪聲性能和穩(wěn)定度廣泛應(yīng)用于頻率合成和微波振蕩源中。 本文在相同的硬件條件下，對如何提高介質(zhì)振蕩器的性能進(jìn)行了研究。主要是從振蕩器的原理出發(fā)，根據(jù)振蕩器的相位噪聲公式，分析了公式中與改善振蕩器相位噪聲有關(guān)的因素。在這些因素當(dāng)中，從最有可能提高振蕩器性能方面著手，提出了改善振蕩器相位噪聲的方法，即提高

2、振蕩器電路的有載品質(zhì)因數(shù)的方法。在這個(gè)基礎(chǔ)之上，對兩種結(jié)構(gòu)的介質(zhì)振蕩器進(jìn)行了比較，選擇了并聯(lián)反饋型介質(zhì)振蕩器這種結(jié)構(gòu)，它的頻率電調(diào)諧范圍相對于另一種結(jié)構(gòu)要寬。為了提高介質(zhì)諧振器的有載品質(zhì)因數(shù)，勢必會降低它與微帶線的耦合度，減小了微帶線耦合能量，難以滿足振蕩器振蕩的幅度條件，本文利用了兩極放大并聯(lián)反饋這種較為新穎的結(jié)構(gòu)解決了這個(gè)問題，并在理論上估算了兩級放大并聯(lián)反饋型介質(zhì)振蕩器的相位噪聲相對于單級放大并聯(lián)反饋型介質(zhì)振蕩器的改善情況。