基于CMOS技術(shù)的紅外接收芯片前端設(shè)計及實現(xiàn).pdf

1、從紅外遙控的市場需求和行業(yè)發(fā)展前景考慮,論文對基于0.5μm硅柵CMOS工藝制造的一款中端全集成紅外接收芯片提出了具體的設(shè)計方案,并完成了其前端電路(包括電流—電壓轉(zhuǎn)換和前置放大器兩部分)與版圖設(shè)計。首先,通過對紅外遙控系統(tǒng)的組成和工作原理、紅外線的傳輸方式和環(huán)境噪聲等內(nèi)容的了解,明晰了紅外接收芯片的工作流程,確定了芯片的整體設(shè)計方案和各項設(shè)計指標(biāo)。其次,在滿足芯片整體設(shè)計前提下,結(jié)合光敏檢測器件構(gòu)造了一種變阻結(jié)構(gòu)實現(xiàn)電流—電壓轉(zhuǎn)換電路

2、,并采用折疊共源共柵的全差分放大器和電阻、電容構(gòu)成有源高通濾波器作為前置放大器。在Cadence環(huán)境下使用CSMC(上華)0.5μmCMOSmix-signal-Si柵TPDM工藝模型仿真驗證以上電路。同時設(shè)計完成了它們的版圖,總面積在230*120μm2左右。芯片整體版圖(包括劃片道以及測試引腳)在850*700μm2左右。最后,對MPW投片返回的芯片分別從電路級別和產(chǎn)品級別進行了測試。測試結(jié)果顯示芯片前端正常工作;芯片能在2.5～6