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1、在過(guò)去的幾十年，人們開(kāi)展了大量硅基發(fā)光材料和器件的研究工作。近年來(lái)，在硅襯底上制作OLEDs(Organic light emitting diodes，有機(jī)發(fā)光二極管)，為硅基光電集成開(kāi)辟了一條新道路。而且，硅基OLED可利用成熟的CMOS技術(shù)，可在單個(gè)芯片上集成密度高且復(fù)雜的電路，從而提供了單芯片顯示系統(tǒng)(SOC，System On Chip)的解決方案。 本論文利用重?fù)诫sn—Si、p-Si單晶片分別作為頂發(fā)射有機(jī)發(fā)光二極管
2、的陰極、陽(yáng)極，成功制備了高效率、高對(duì)比度的硅基頂發(fā)射有機(jī)發(fā)光二極管?；趎-Si陰極的熒光頂發(fā)射器件(n-Si／CS2CO3 2 nm／Alq 40 nm／NPB 40 nm／MoO3 2nm／ng 20 nm／Alq 40 nm)在6 V下啟亮，最高效率達(dá)1.5 cd/A及0.46 lm／w?；趐-Si陽(yáng)極的熒光頂發(fā)射器件p—Si／NPB 40 nm／Alq 40 nm／CS2CO3 2 nm／Ag 20nm／Alq 40 nm)在
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