容器栽培根際水氣環(huán)境調(diào)控技術對黃瓜生長的影響.pdf

1、一、黃瓜根系對氣體環(huán)境要求嚴格，在通氣不良條件下根系容易衰老，本試驗以花盆和通氣塑料管為試驗材料，在距花盆底部不同位置安裝一透氣的塑料盆托，研究了3種不同根際通氣環(huán)境(盆托距花盆底部2，4，6鋤，分別用IC1，IC2，IC3表示)對盆栽黃瓜的形態(tài)指標、生理指標和根際C02濃度的影響，旨在選出更適宜黃瓜生長的根際通氣環(huán)境。結果表明： 1.IC2的容重、持水孔隙度和通氣孔隙度分別為0.35g+cm-3、47.9％和22.7％，能更好

2、的促進黃瓜的生長；各處理EC值在理想的變化范圍之內(nèi)，pH值偏堿性。 2.IC2與IC3根系生長比較快，與IC1和CK差異比較明顯，IC1和CK沒有明顯差異。通氣處理間的根鮮重有極顯著差異，IC1和CK差異不顯著，其中IC2明顯優(yōu)于其它各處理，與其它各處理有極顯著差異。IC2的株高、莖粗和葉片數(shù)與其它各處理有顯著差異。 3.在生長初期，IC3的根系活力最高，IC2和IC3無顯著差異；與ICl和CK有極顯著差異；后期，IC2

3、根系活力最高，與其它三個處理有極顯著差異。在整個生育期，通氣各處理的根系SOD酶活性與對照都有極顯著差異；定植后各時期，IC2最小，對照最大。生長前期，IC3的MDA含量有最高值，與其它各處理有極顯著差異；后期，IC2最小，與其它各處理有極顯著差異，其中對照最大。生長前期，各處理的葉綠素含量無顯著差異；后期，IC2最大，與其它通氣處理有極顯著差異。 4.在黃瓜生育前期，IC2和IC3的光合速率、蒸騰速率和氣孔導度沒有明顯差異，但

4、都高于IC1和CK；在生長中后期，IC2的光合速率、蒸騰速率和氣孔導度明顯為最高。 5.在黃瓜盛瓜期，IC2的根際CO2濃度低于其它各處理；黃瓜生長的其它各個時期，CK