凝聚態(tài)光譜在硅太陽能電池中的應(yīng)用.pdf

1、上海交通大學碩士學位論文凝聚態(tài)光譜在硅太陽能電池中的應(yīng)用姓名：梅俊杰申請學位級別：碩士專業(yè)：凝聚態(tài)物理指導教師：沈文忠20070101中文摘要 – ii – 息， 是提取 a-SiNx:H 薄膜光學性質(zhì)的最佳介電函數(shù)模型。 我們還討論了擬合結(jié)果與生長參數(shù)、退火作用的關(guān)系，并基于 Wemple-DiDomenico模型分析了 a-SiNx:H 薄膜帶隙以下折射率的色散行為。 然后，我們利用紅外吸收光譜研究了 a-SiNx:H 薄膜 Si–

2、N、Si–H、 N–H 鍵的濃度以及 Si、N、H 的原子密度，分析了生長條件、退火作用對化學鍵鍵合狀態(tài)的影響；并進一步結(jié)合之前提取的光學常數(shù)，研究了a-SiNx:H 材料微觀結(jié)構(gòu)和光學性質(zhì)之間的聯(lián)系，揭示出高沉積溫度對硅襯底的鈍化作用更為有利。 最后我們研究了 a-SiNx:H 薄膜隨溫度變化的光致發(fā)光(PL)性質(zhì)，提出了 PL 可能的發(fā)光機制， 并分析了 PL 強度和峰位隨生長條件、 退火工藝的變化情況。我們還分別通過理論和經(jīng)驗公式