碳化硅陶瓷空心陰極等離子燒結(jié)工藝研究.pdf

1、本課題旨在把空心陰極的這一特點(diǎn)再次應(yīng)用于碳化硅陶瓷的燒結(jié)，研究碳化硅陶瓷在空心陰極條件下的固相燒結(jié)及液相燒結(jié)的不同工藝參數(shù)，研究燒結(jié)時(shí)電流電壓的變化對(duì)燒結(jié)工藝的影響，以及在固相及液相條件下，探討添加劑成分以及含量等因素對(duì)燒結(jié)效果的影響。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，在不添加燒結(jié)助劑，2200℃保溫3小時(shí)的條件下獲得相對(duì)密度為96.2％的SiC燒結(jié)體，燒結(jié)體的顯微硬度值為22.5Gpa，同時(shí)燒結(jié)體的斷口SEM照片顯示斷裂模式為穿晶斷裂；在以10％C粉作為

2、添加劑，2000℃保溫3小時(shí)的條件下，所得燒結(jié)體的相對(duì)密度為96.5％，顯微硬度值為23.5Gpa,燒結(jié)體的斷口SEM照片顯示晶粒之間空隙進(jìn)一步縮小，樣品也更為致密；在以9％YAG(Al<,2>O<,3>-Y<,2>O<,3>)作為燒結(jié)助劑，1900℃，保溫1.5h的燒結(jié)條件下，獲得相對(duì)密度為97.9％SiC燒結(jié)體，燒結(jié)體的顯微硬度值為21Gpa，燒結(jié)體的斷口SEM照片顯示燒結(jié)試樣的晶粒之間更加緊密，氣孔和晶界相對(duì)較少，斷裂模式為穿晶斷