非晶氟化碳薄膜熱穩(wěn)定性研究.pdf

1、以C4F8和CH4為源氣體，在微波電子回旋共振等離子化學(xué)氣相沉積(ECR-CVD)系統(tǒng)中，制備了氟化非晶碳薄膜(a-C：F)，并對其在N2中進(jìn)行了退火處理。用橢圓偏振儀對退火前后的膜厚及折射率的變化進(jìn)行了測量；用傅立葉變換紅外光譜(FTIR)、x射線光電子能譜(XPS)分析了薄膜中的基團(tuán)和鍵結(jié)合態(tài)；制備了A1/a-C：F/Si金屬．絕緣體．半導(dǎo)體(MIS)結(jié)構(gòu)樣品并測量了a-C：F薄膜的電學(xué)性能；使用掃描電子顯微鏡(SEM)和原子力顯微

2、鏡(AFM)分析了薄膜的表面形貌。本文重點(diǎn)研究了微波功率、源氣體流量比和退火溫度對a-C：F薄膜的結(jié)構(gòu)和熱穩(wěn)定性的影響，并考察了在N2氣氛下熱處理后a-C：F薄膜的結(jié)構(gòu)和性質(zhì)隨退火溫度的變化。 結(jié)果表明，隨著微波功率的增加，CFX基團(tuán)分解增多，引起膜中F含量逐漸降低，C含量升高，薄膜中的交聯(lián)結(jié)構(gòu)增多，熱穩(wěn)定性增強(qiáng)。增大源氣體中CH4的比例，能夠有更多的C原子參加成膜反應(yīng)，得到更多的C-C交聯(lián)結(jié)構(gòu)，使薄膜的熱穩(wěn)定性增強(qiáng)。位于a-C