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1、本論文對(duì)晶態(tài)、液態(tài)和非晶態(tài)C3N4的微觀結(jié)構(gòu)進(jìn)行了分子動(dòng)力學(xué)模擬。模擬結(jié)果顯示:在C3N4晶體中,C和N原子的配位數(shù)分別為3.92和3.07,C為四面體配位;液態(tài)C3N4中,C和N原子的配位數(shù)分別為3.61和2.52,鍵角和鍵長(zhǎng)的分布范圍明顯變寬,結(jié)構(gòu)處于無序狀態(tài);非晶C3N4的結(jié)構(gòu)中C—N鍵的鍵角和鍵長(zhǎng)分布與晶態(tài)C3N4基本一致,說明構(gòu)成非晶C3N4與晶態(tài)C3N4的結(jié)構(gòu)基元相同。非晶C3N4中C和N的配位數(shù)分別為3.46和2.26,比
2、C3N4晶體下降,表明結(jié)構(gòu)中石墨型構(gòu)型增加。計(jì)算得到β—C3N4的體彈性模量為436.1GPa,與Liu采用可變晶格模型分子動(dòng)力學(xué)(VCS—MD)從頭計(jì)算法計(jì)算得到的體彈性模量437GPa基本一致。 用分子動(dòng)力學(xué)方法和第一性原理方法模擬了單個(gè)C、N原子以及C2、N2、CN團(tuán)簇在硬質(zhì)合金表面的沉積過程,為小原子團(tuán)簇與表面的作用搭建了兩種不同的吸附模型,即物理吸附模型和化學(xué)吸附模型,基體溫度分別取為298K、500K和700K。模擬
3、中,計(jì)算了不同基體溫度下團(tuán)簇與表面的相互作用能,并對(duì)團(tuán)簇在襯底表面的吸附結(jié)構(gòu)、吸附能以及成鍵情況進(jìn)行了討論;還研究了原子(團(tuán)簇)在Si(100)表面和高速鋼表面的吸附機(jī)理,以探討不同襯底材料對(duì)CNx薄膜生長(zhǎng)的影響。模擬結(jié)果顯示:C、N原子與三種晶面都成化學(xué)吸附,但C、N在高速鋼表面的吸附最穩(wěn)定,硬質(zhì)合金表面對(duì)N原子的選擇性吸附要明顯強(qiáng)于C原子,這對(duì)硬質(zhì)合金表面的氮化和提高薄膜中氮的含量極為有利;WC(100)表面由于C2的吸附具有金屬性
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