過渡金屬摻雜的硫化鋅納米材料的制備及性質研究.pdf

1、過去的二十多年，納米材料的制備及性質研究已成為一個十分熱門的研究領域，特別是半導體納米材料，由于其獨特的化學、物理和電子特性，使得其在諸如顯示器、照明、傳感器、激光技術、生物技術和醫(yī)學等新技術上有著極大的應用前景。過渡金屬和稀土金屬離子摻雜的硫化鋅納米晶，包括納米粉末和三維核殼結構、空腔結構都是極具發(fā)展?jié)摿Φ陌雽w化合物之一。本文對摻雜的ZnS納米晶所涉及的納米理論、發(fā)光現(xiàn)象及相關機理、制備方法，以及相關Ⅱ-Ⅵ半導體納米三維核殼結構、空

2、腔結構材料的應用前景和制備方法做了詳細的綜述，并進行了深入的研究。 實驗分為兩大部分：第一部分：Mn2+、pb2+共摻雜的ZnS納米晶的制備及光致發(fā)光性的研究可控化學共沉淀法是應用最廣泛的方法之一，由于其原材料便宜，易控制，產量大等特點而廣泛應用于工業(yè)生產。為了使化學共沉淀法能大批量制備分散性好，表面形態(tài)好，發(fā)光效率高的摻雜硫化鋅納米晶，本文采用以聚乙烯基吡咯烷酮(PVP)為表面包覆劑，在室溫敞開大氣條件下的水溶液中制備了ZnS

3、:Mn2+和ZnS:Mn2+、pb2+納米晶。所制備的納米晶為立方閃鋅礦結構，粒徑為2.0～4.0nm；PVP能很好的包覆于納米晶表面，納米晶沒有發(fā)嚴重的團聚現(xiàn)象，分散性良好。制備的ZnS:Mn2+納米晶，當Mn2+摻雜量相對于Zn2+的摩爾比為3.0﹪時，于583nm處觀察到了最大的熒光發(fā)光強度。ZnS:Mn2+、pb2+納米晶在510～560nm處有強的發(fā)射，當Mn2+和pb2+摻雜量相對于Zn2+的摩爾比分別為3.0﹪，0.5﹪時

4、，于543nm處有最大的熒光發(fā)光強度，大約是ZnS:Mn2+納米晶熒光強度的3倍。 第二部分：ZnS納米晶包覆SiO2核殼和空腔結構納米球的制備硫化鋅納米晶包覆二氧化硅的三維核殼結構及空腔結構納米球，廣泛應用于作為光子晶體的結構單元、生物標記、多酶生物催化、藥物分解等研究領域。為了制備這種獨特的三維結構納米材料，本論文采用層層自組裝方法，利用二氧化硅模板表面的靜電吸附納米晶粒子生成厚度可控的硫化鋅納米晶包覆層。二氧化硅模板采用S

5、tober法制備了直徑為250～320nm的單分散性膠體納米球，分別由試驗方案一：以Na2S·9H2O為硫源，室溫水相中反應，討論了分別在聚合物表面活性劑聚乙烯基吡咯烷酮(PVP)和聚乙烯醇(PVA)中，硫化鋅納米晶包覆二氧化硅的效果；試驗方案二：加熱條件下以硫代乙酰胺為硫源，無水乙醇/水混相中反應，討論了不同硫代乙酰胺和Zn2+量的情況下，硫化鋅納米晶包覆二氧化硅的效果。試驗結果表明方案二較為成功，然后以氫氟酸蝕刻二氧化硅模板，能得到