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文檔簡介
1、NZP(NaZr2(PO4)3的簡稱)族陶瓷材料因其特殊的骨架結構表現(xiàn)出了低膨脹、高的溫度穩(wěn)定性、快離子傳導等特性,該化合物被廣泛應用于抗熱震、電子裝備、汽車工業(yè)、望遠鏡等方面。 過去NZP族陶瓷的研究主要是集中在其熱學性能上,并已經(jīng)取得了相當不錯的結果,本論文建立在NZP族陶瓷材料優(yōu)良的熱學性能基礎上,重點研究其介電性能和力學性能,以求其能在雷達天線罩上得以應用。 本研究首先以Ca,Ba,K,Sr的硝酸鹽,ZrOCl2
2、·8H2O,NH4H2PO4為原料,用直接共沉淀法制備了NZP族陶瓷粉體??刂品磻^程中溶液的pH值為9,用差熱分析、X-ray衍射、激光粒度分析儀、掃描電鏡對NZP族前驅物和粉體進行了表征。NZP粉術的結晶狀況和顆粒大小及團聚情況取決于熱處理溫度的高低,在860℃煅燒后能得到較為理想的NZP粉體,結晶狀況良好且有大量納米尺寸的顆粒。 研究了CaxBa1-xZr4P6O24(簡稱CBZP),K2xSr1-xZr4P6O24(簡稱
3、KSZP),CaxSr1-xZr4P6O24(簡稱CSZP)磷酸鹽陶瓷的力學性能和介電性能。將直接共沉淀法制備的NZP磷酸鹽陶瓷粉體,添加3wt%ZnO作為助燒劑及3wt%SiO2作為晶粒抑制劑,在1150℃下燒結230min制成NZP陶瓷。用XRD,SEM,壓汞儀,對陶瓷的結晶狀況,顯微結構,氣孔率進行表征。對陶瓷三點抗彎強度和介電性能(包括介電常數(shù)和介質損耗)進行測量。結果表明:NZP陶瓷的本征強度不高,受顯微結構影響很大,三點抗彎
4、強度在120MPa以下,介電常數(shù)均在8以下,屬于低介電材料,其中以直接共沉淀法制備的CaZr4P6O24(簡稱CZP)粉體燒結的陶瓷介電常數(shù)為3.65,抗彎強度為74.96MPa,具有較好的綜合性能。 對于NZP族陶瓷系統(tǒng),ZnO和MgO為較好的助燒劑,SiO2為較好的晶粒抑制劑。研究了ZnO,MgO及SiO2摻量對CZP陶瓷力學性能和介電性能的影響關系。實驗結果表明,以ZnO為助燒劑時,添加3wt%時抗彎強度最大;MgO為助燒
5、劑時,添加4wt%時抗彎強度最大;SiO2添加量在3wt%時,對晶粒生長起到了很好的抑制作用。 研究了成型壓力、升溫速度、保溫時間對CZP陶瓷的力學性能和介電性能的影響關系,實驗結果表明:成型壓力在100MPa、升溫速度為5℃/min、保溫時間為2h時陶瓷的綜合性能最好。 最后將制得的綜合性能最好的CZP陶瓷進行抗熱震性測試,將CZP陶瓷升溫至1000℃,保溫時間為1小時,即取出放入20℃的水中10min,烘干后在400
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