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文檔簡介
1、本論文研究了Bi2O3-ZnO-Nb2O3(BZN)高頻陶瓷系統(tǒng)的制備方法、介電性能,以及TiO2添加劑對該系統(tǒng)的影響。 首先研究了BiNbO4陶瓷介質,該陶瓷的成瓷性較好,但在本實驗條件下介電損耗較高,溫度系數(shù)負值較大,不利于實際應用。采用Ta元素對該系統(tǒng)陶瓷B位的Nb進行取代研究。Ta的加入使介電損耗進一步降低,燒結溫度進一步升高,系統(tǒng)性能提升。 系統(tǒng)地研究了Bi2O3-ZnO-Nb2O5(BZN)系統(tǒng)陶瓷不同的工藝
2、路線對其介電性能的影響。實驗表明:當首先合成(Nb2O5-ZnO)先驅體,再加入Bi2O3進行煅燒及最終的燒結過程,可獲得介電性能比較理想的BZN陶瓷;而將Bi2O3、ZnO、Nb2O5三種成分同時混合煅燒再進行最終的燒結,或先合成(Bi2O3-Nb2O5)先驅體,再加入ZnO進行煅燒及最終的燒結過程,均無法獲得介電性能理想的陶瓷材料。同時,當先驅體(Nb2O5-ZnO)的煅燒溫度為860℃、煅燒時間為2h時材料的介電性能最佳。在進行最
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