高亮度LED晶圓紫外激光劃片技術研究.pdf

1、藍寶石和碳化硅等材料是當今主流的用于Ⅲ-Ⅴ價半導體（氮化鎵、砷化鎵等）外延生長的基體材料。使用它們可以制造出許多高性能的光電器件，如高亮度發(fā)光二極管（LED）等。然而，這兩種材料具有的高硬度和化學穩(wěn)定性等特性，使得以它們?yōu)榛w制造的晶圓很難用傳統(tǒng)的機械加工和紅外激光加工等方法進行分離。另外，隨著光電器件的微型化，對這些材料的劃片技術提出了更高的要求。
　　本論文對紫外激光應用于藍寶石晶圓和碳化硅等材料的劃切加工技術進行了部分理論與

2、試驗研究工作。
　　首先，介紹了晶圓材料對紫外激光的吸收機制；分析了紫外激光與晶圓材料的作用過程中發(fā)生的光熱作用、光化學作用和等離子體的產(chǎn)生和屏蔽效應；總結了紫外激光與晶圓材料作用的幾種理論模型：光化學模型、光熱模型和SSB模型；并對SSB模型進行了修正，建立了修正的SSB模型。
　　然后，利用數(shù)值模擬和有限元仿真的方法分別對紫外激光與藍寶石晶圓相互作用過程中的光化學消融作用和光熱消融作用進行了仿真研究，初步研究了紫外激光與