三層結(jié)構(gòu)納米壓印及其在模板復(fù)制和硅納米線傳感器制備中的應(yīng)用.pdf

1、納米壓印光刻技術(shù)作為下一代光刻技術(shù)中的熱門研究方法之一,由于其具有成本低廉、光刻效率高以及光刻分辨率高等優(yōu)點(diǎn),受到了人們的極大重視。
　　 硅納米線傳感器因其半導(dǎo)體工藝兼容性好、生物兼容性好和靈敏度高等諸多優(yōu)點(diǎn),目前廣泛的應(yīng)用在氣體傳感,化學(xué)傳感乃至生物傳感等方面。本文研究利用廉價而高效的納米壓印技術(shù)來制備硅納米線氣體傳感器,不但具有非常大的應(yīng)用前景,而且在納米器件研究方面也有重要的科學(xué)研究價值。
　　 本論文開發(fā)了一種

2、新型的SU-8/SiO2/PMMA三層結(jié)構(gòu)的納米壓印圖形轉(zhuǎn)移技術(shù)。此工藝具有壓印溫度低、可靠性高、圖形尺寸靈活可控、成本低廉等優(yōu)點(diǎn)。通過優(yōu)化各步驟的工藝參數(shù),我們成功的將此技術(shù)應(yīng)用到納米壓印模版的復(fù)制上。復(fù)制出了多種周期(1um,500nm,300nm)的光柵狀和chiral結(jié)構(gòu)的模板,復(fù)制出來的模板失真度在10nm以內(nèi)。
　　 基于該技術(shù),我們成功地在SOI襯底上制備了兩種不同線寬(75nm,135nm)的硅納米線傳感器。將制