CdSe-ZnS核殼型量子點的合成及修飾.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、量子點是指物理尺寸小于其玻爾激發(fā)半徑的半導(dǎo)體納米晶粒。一般由第Ⅱ/Ⅵ主族或第Ⅲ/Ⅴ主族元素組成。當(dāng)材料的尺寸小于其相應(yīng)玻爾激發(fā)半徑時(一般在1~5nm),就會產(chǎn)生量子限域效應(yīng),使得量子點具有很多獨特的性質(zhì),包括:窄發(fā)射(半峰寬一般在20~30nm);寬激發(fā);量子產(chǎn)率高;摩爾消光系數(shù)大(比有機(jī)染料高1~2個數(shù)量級);抗光漂白和化學(xué)降解;從紫外到近紅區(qū)(700~900nm)有連續(xù)的吸收;熒光壽命長(大于10ns);斯托克斯位移大。因此,量子

2、點在生物、材料、能源等各個領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用。
   本論文對量子點的合成與修飾進(jìn)行了相關(guān)研究,具體包括:
   (1)量子點合成 建立了量子點合成的標(biāo)準(zhǔn)化、可控程序。合成發(fā)射波長介于520nm~590nm量子點;所合成的量子點半峰寬小,量子產(chǎn)率高。通過透射電鏡、X-射線能譜、熒光、紫外對量子點粒徑、元素種類、發(fā)射峰、紫外吸收、量子產(chǎn)率、量子點濃度等進(jìn)行了表征。對于實驗過程中影響量子點合成的各種因素進(jìn)行了系統(tǒng)研究。

3、>   (2)量子點包裹 分別考察了一鍋法、兩步法對于量子點核的包裹。對于包裹前后量子點的微觀結(jié)構(gòu),光譜學(xué)性質(zhì)的變化進(jìn)行了表征。對于影響包裹的各種因素,進(jìn)行了系統(tǒng)的考察。
   (3)采用聚合物(MePEG-PLA)對量子點進(jìn)行修飾 對于包裹后量子點的熒光性質(zhì)進(jìn)行了表征;穩(wěn)定性、粒徑也進(jìn)行了初步的研究;通過實驗數(shù)據(jù)估計了包封率。對于影響包裹物穩(wěn)定性的因素進(jìn)行了探討。
   (4)小分子對于量子點的修飾 通過二硫蘇糖醇(

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