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文檔簡介
1、高純的單晶硅是很好的半導(dǎo)體材料,在很多領(lǐng)域都有著廣泛的應(yīng)用,尤其是在電池材料領(lǐng)域一直居于統(tǒng)治地位。單晶硅表面的化學(xué)修飾已得到了廣大科研工作者的廣泛關(guān)注和研究。由于硅在水和水溶液中是熱力學(xué)不穩(wěn)定的,很容易被氧化成氣態(tài)氫化物(SiH<,4>)、SiO<,2>和硅酸鹽,因此單晶硅表面可以被各種有機與無機基團修飾以改善其光電轉(zhuǎn)化效率,同時,也帶來了穩(wěn)定性差等問題。 本論文主要是對單晶硅表面進行改性,以提高其光電轉(zhuǎn)化效率,同時改善單晶硅表
2、面的穩(wěn)定性,并對水滑石在較低溫度下轉(zhuǎn)化為尖晶石進行了初步的研究。主要工作如下: 1.水滑石在較低溫度下轉(zhuǎn)化為尖晶石的行為研究:通過共沉淀法分別制備了如下組成的水滑石:Mg(Ⅱ)-Fe(Ⅱ)-Fe(Ⅲ)-CO<,3>、Co(Ⅱ)-Fe(Ⅱ)-Fe(Ⅲ)-CO<,3>及Mg(Ⅱ)-Co(Ⅱ)-Fe(Ⅱ)-Fe(Ⅲ)-CO<,3>,將其在一定溫度下晶化,即可在較低溫度下轉(zhuǎn)化為尖晶石。結(jié)果表明,在Fe(Ⅱ)存在的條件下,上述水滑石可以很
3、容易的轉(zhuǎn)化為尖晶石,并且其轉(zhuǎn)化效率與Fe(Ⅱ)的含量有關(guān),F(xiàn)e(Ⅱ)的含量越高,反應(yīng)的轉(zhuǎn)化率越高。 2.尖晶石在單晶硅表面的吸附:將制得的水滑石置入乙醇中充分分散后,吸附于表面處理過的單晶硅表面,再將樣品放入馬弗爐中焙燒,即可制得表面吸附有尖晶石的單晶硅樣品。結(jié)果表明,吸附后的單晶硅的光電壓與光電流均有提升,并且隨著焙燒樣品中的尖晶石含量的增加而增加。 3.單晶硅表面的TiCl<,4>修飾及修飾后的尖晶石吸附:將單晶硅表
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