有機電致發(fā)光器件界面性質(zhì)和復合效率的初步研究.pdf

1、近幾年來，有機薄膜電致發(fā)光器件的研究日益活躍，而且已經(jīng)有不少產(chǎn)品面世，當今研究主要集中在大量開發(fā)高EL效率、物理性質(zhì)穩(wěn)定的有機發(fā)光材料和載流子輸運材料，改進器件結(jié)構(gòu)等方面。為了克服其效率低、壽命短、性能不穩(wěn)定的特點，使其達到實用化的目標，深入研究有機電致發(fā)光器件界面性質(zhì)及其復合效率，具有重要的理論意義與應用價值。
　　 本文在前人工作的基礎上，對有機電致發(fā)光器件中載流子的注入、輸運和復合發(fā)光過程，特別是其界面特性進行了模擬研究，

2、現(xiàn)分列如下：
　　 1.采用金屬/無機半導體界面模型對有機電致發(fā)光器件中金屬/有機半導體界面進行了數(shù)值研究。討論了界面處金屬/有機半導體原子間距與化學鍵密度對界面偶極能的影響，分析了界面層電場強度隨化學鍵密度變化的原因，對界面偶極能與金屬功函數(shù)之間的關系給出了合理的解釋。
　　 2．．基于ITO/TPD/Alq/LiF/Al多層器件結(jié)構(gòu)，通過計算給出了外加電壓和器件電流密度的關系。結(jié)果表明：1)金屬陰極和電子傳輸層之間L

3、iF的插入產(chǎn)生的附加偶極能可降低電子的注入勢壘和器件的開啟電壓；2)過厚或者過薄的LiF層會降低器件性能。最佳LiF厚度介于1.5nm～5nm之間。對LiF修飾陰極帶來器件性能的改善給出了比較合理的解釋。
　　 3．采用了陰極注入限制和陽極歐姆接觸的雙層器件注入模型，忽略電子漏電流，計算了器件的復合效率和復合區(qū)域?qū)挾取５玫剑焊淖兤骷Y(jié)構(gòu)將導致其電場的重新分布，在保持器件總厚度不變時，增加空穴傳輸層厚度能增大電子注入，使得復合區(qū)域