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1、本文采用MOSD+spin-coating的方法,在不同襯底上制備了摻雜釤離子的Bi<,2>Ti<,2>O<,7>薄膜和微晶,并對(duì)其結(jié)構(gòu)和性質(zhì)進(jìn)行了研究,主要內(nèi)容如下: 在硅襯底上制備了不同釤含量的(Bi<,1-x>Sm<,x>)<,2>Ti<,2>O<,7>系列薄膜。發(fā)現(xiàn)不同摻雜離子濃度對(duì)Bi,2>Ti<,2>O<,7>薄膜的結(jié)晶度,表面形貌及電學(xué)性質(zhì)均有較大的影響。綜合考慮,認(rèn)為摻雜釤濃度為0.1時(shí)的薄膜具有較好的性能。然后
2、,在釤濃度為0.1的條件下研究了溶液濃度對(duì)薄膜性能的影響,發(fā)現(xiàn)溶液濃度對(duì)薄膜的電學(xué)性能影響更復(fù)雜。綜合所有因素,我們認(rèn)為溶液濃度為0.1,釤離子摻雜濃度為x=0.1的薄膜性能最為優(yōu)越。 對(duì)溶液濃度為0.1,摻雜濃度x=0.1的薄膜進(jìn)行了研究,對(duì)不同襯底上的薄膜做了比較。XRD的研究表明我們?cè)趦煞N襯底上制備的BSTO(0.1)薄膜均在600℃退火10分鐘后結(jié)晶性良好,為多晶膜。并且我們制備的BSTO(0.1)薄膜比未摻雜的薄膜的穩(wěn)
3、定性提高很多,并且比摻鑭元素的薄膜的穩(wěn)定性也有很大提高,一方面是因?yàn)殡姾裳a(bǔ)償?shù)脑?,另一方面是由于釤離子半徑要比鑭離子半徑更接近于鉍離子半徑(Bi<'3+>(0.93A)
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