雙頻容性耦合等離子體鞘層中帶電粒子輸運(yùn)的流體力學(xué)模擬.pdf

1、在電容耦合式放電等離子體刻蝕工藝中，通常在放有基體的極板上施加以13.56兆赫茲的射頻偏壓，但這種單一頻率的放電方法不能解決提高等離子體密度和控制刻蝕速率、刻蝕剖面之間的矛盾，因此近年來在極板上同時(shí)施加高頻和低頻兩個(gè)射頻偏壓的雙頻電容耦合式放電的刻蝕工藝越來越受到關(guān)注。與單頻電容耦合放電相比，在雙頻電容耦合放電等離子體中的離子和電子受到的是兩個(gè)不同頻率的射頻偏壓的調(diào)制，從而使等離子體表現(xiàn)出更為復(fù)雜的運(yùn)動(dòng)行為。實(shí)驗(yàn)已經(jīng)證實(shí)通過選擇適當(dāng)?shù)念l

2、率比可以更精確的控制離子密度和轟擊到基板上的離子能量并且使可調(diào)控的離子能量范圍更大。但是，目前關(guān)于雙頻電容耦合放電等離子體鞘層物理特性特別是兩個(gè)頻率的射頻偏壓同時(shí)加在一個(gè)極板上情況下的等離子體鞘層物理特性還少有研究。 本文針對(duì)雙頻電容耦合放電等離子體鞘層建立了自洽的流體力學(xué)模型，由于模型包含了所有時(shí)間相關(guān)項(xiàng)，因而適用于描述較寬頻率段的鞘層演化行為；此外采用等效回路方法自洽地確定極板上的電位波形和雙頻偏壓的瞬時(shí)關(guān)系。 本文