氧化物鐵電薄膜生長(zhǎng)與界面控制方法研究.pdf

1、電子科技大學(xué)博士學(xué)位論文氧化物鐵電薄膜生長(zhǎng)與界面控制方法研究姓名：魏賢華申請(qǐng)學(xué)位級(jí)別：博士專業(yè)：材料物理與化學(xué)指導(dǎo)教師：李言榮20051101鐵電與半導(dǎo)體集成面臨的一個(gè)主要問(wèn)題是界面擴(kuò)散，因而在兩者之間插入～層穩(wěn)定的緩沖層。各種金屬氧化物的緩沖層以不同方法沉積在硅基片上，使用金屬氧化物靶材難以在硅基片上獲得外延薄膜，如織構(gòu)的MgO薄膜、Ce02(111)／si(001)薄膜，這是由于界面處有無(wú)定形物質(zhì)形成：通過(guò)金屬靶材沉積在硅基片上可以

2、獲得外延的金屬氧化物薄膜，其過(guò)程是一個(gè)熱力學(xué)決定的過(guò)程，沉積的金屬粒子與表層的Si02反應(yīng)，除去了界面的無(wú)定形物質(zhì)。此外，發(fā)現(xiàn)Ce02的取向與沉積參數(shù)無(wú)關(guān)，而激光能量密度決定TMgO的晶體形態(tài)，在較高能量密度下，MgO薄膜能在較厚范圍內(nèi)保持雙軸織構(gòu)生長(zhǎng)；隨著能量密度下降，MgO薄膜逐漸變?yōu)閱屋S織構(gòu)生長(zhǎng)，甚至無(wú)明顯的取向。BaTi03(BTO)鐵電薄膜在不同的緩沖硅基片上以不同的取向生長(zhǎng)，在織構(gòu)的MgO／Si(001)基片上為(001)擇