氧化物鐵電薄膜生長與界面控制方法研究.pdf

1、電子科技大學博士學位論文氧化物鐵電薄膜生長與界面控制方法研究姓名：魏賢華申請學位級別：博士專業(yè)：材料物理與化學指導教師：李言榮20051101鐵電與半導體集成面臨的一個主要問題是界面擴散，因而在兩者之間插入～層穩(wěn)定的緩沖層。各種金屬氧化物的緩沖層以不同方法沉積在硅基片上，使用金屬氧化物靶材難以在硅基片上獲得外延薄膜，如織構的MgO薄膜、Ce02(111)／si(001)薄膜，這是由于界面處有無定形物質形成：通過金屬靶材沉積在硅基片上可以

2、獲得外延的金屬氧化物薄膜，其過程是一個熱力學決定的過程，沉積的金屬粒子與表層的Si02反應，除去了界面的無定形物質。此外，發(fā)現(xiàn)Ce02的取向與沉積參數(shù)無關，而激光能量密度決定TMgO的晶體形態(tài)，在較高能量密度下，MgO薄膜能在較厚范圍內(nèi)保持雙軸織構生長；隨著能量密度下降，MgO薄膜逐漸變?yōu)閱屋S織構生長，甚至無明顯的取向。BaTi03(BTO)鐵電薄膜在不同的緩沖硅基片上以不同的取向生長，在織構的MgO／Si(001)基片上為(001)擇