基于ANSYS的ECT-ERT電磁場仿真及陣列電極優(yōu)化設計.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、電容層析成像(Electrical Capacitance Tomography,ECT)和電阻層析成像(Electrical Resistance Tomography,ERT)是基于電磁場理論的新型測量技術,具有無輻射、非侵入、響應速度快、成本低以及可視化測量等優(yōu)點,在工業(yè)測量及醫(yī)學監(jiān)測中具有誘人的發(fā)展前景。ERT適于測量以導電性介質(zhì)為連續(xù)相的介質(zhì),而ECT適于測量以非導電性介質(zhì)為連續(xù)相的介質(zhì)。為了拓寬ECT及ERT技術的應用范圍,

2、獲取更為豐富測量信息,提高測量精度,將ERT和ECT有機地進行融合,提出了ERT/ECT雙模態(tài)成像技術。 本課題對ERT/ECT雙模態(tài)空間敏感陣列電極的數(shù)學模型、電場特性及敏感陣列電極結構優(yōu)化等有關方面內(nèi)容進行了深入研究,主要工作和結果如下: 1.采用復電導率概念,提出了統(tǒng)一的ERT/ECT敏感場數(shù)學模型,并給出ERT/ECT正問題的有限元求解方法; 2.分析ECT/ERT敏感場的‘軟場’特性,借助大型有限元軟件

3、ANSYS,利用參數(shù)化設計語言APDL編寫ANSYS程序,對ECT/ERT敏感陣列電極進行三維電場仿真,分析敏感陣列電極結構參數(shù)對敏感場分布的影響。 3.介紹ERT/ECT單模態(tài)傳感器設計,探討敏感陣列電極優(yōu)化目標和原則,改進電極結構參數(shù)。 4.設計ECT/ERT雙模態(tài)復合陣列傳感器,并指出雙模態(tài)傳感器的優(yōu)化應以ECT電極為主。分析雙模態(tài)電極敏感場的相互影響,提出敏感陣列電極設計優(yōu)化指標,通過仿真計算給出電極參數(shù)優(yōu)化結果

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