絕緣金屬基板表面絕緣薄膜的制備和介電性能研究.pdf

1、本文分別采用陽極氧化法、微弧氧化法和磁控反應濺射沉積氮化鋁薄膜的方法對功率電子器件用金屬鋁基板表面進行絕緣化處理。采用x射線衍射儀(XRD)對表面絕緣薄膜的物相組成進行了分析，掃描電子顯微鏡(SEM)對表面絕緣薄膜的微觀結構進行了研究，并用絕緣電阻測試儀、耐壓測試儀和精密阻抗分析儀分別對絕緣膜進行絕緣電阻率、擊穿場強和介電性能的測試。研究了磁控反應濺射工藝條件（濺射功率、靶基距和基板溫度）對氮化鋁絕緣薄膜介電性能的影響。結果表明：(1)

2、 以濃度2﹪草酸為電解液，0.5A恒流控溫陽極氧化（?32.5℃）得到的絕緣氧化膜具有大的絕緣電阻率（2.34×1013Ω?cm）和擊穿場強（73.8 V/μm），并具有優(yōu)異的低頻（?2MHz）介電性能（? 為8.75左右，tan??0.20）。(2) 微弧氧化放電通道的存在，降低了薄膜的絕緣性能和介電性能。(3) P=150W，d=5cm的條件下，較大的襯底溫度可以使薄膜表面更光滑且缺陷很少，具有更優(yōu)異的低頻介電性能（200℃，??1