射頻功率放大器集成電路研究.pdf_第1頁
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文檔簡(jiǎn)介

1、東南大學(xué)碩士學(xué)位論文射頻功率放大器集成電路研究姓名：林曉申請(qǐng)學(xué)位級(jí)別：碩士專業(yè)：電路與系統(tǒng)指導(dǎo)教師：李文淵20090301Abstract11把RadioFrequencyPowerAmplifier(RFPA)isoneofthemostimportantequipmentsinthemodemwirelesscommunications，anditiswidelyappliedintheRadarwirelesseommtmicat

2、ionsnavigationsatellitecommunicationssystemAscomparedwithtraditionaltravelingwaveamplifierRFsolidstatePAhavehighdynamicrange，compactness，lowpowerdissipationmeritsRFPAhasbecomeveryimportantinthemilitaryandpersonalcommunic

3、ationssystem，anditbecomesextremelyimportanttodeveloptheRFPATherefore，theresearchanddesignofRFPAhavegreatsignificanceThecommonlyusedtechnologiesforRFpoweramplifierdesignareCraAsSiGeBiCMOSandCMOSmCraAsprocesshasexcellenthi

4、ghfrequencyperformanceandoutputpowercapacity，butitisqui鈀expensiveandtheuniformityisbadduetoprocessvariationsOnthecontraryCMOSprocesshaslowoutputcapacityanditisdifficultforhi【ghoutputpowerapplicationsTheperformanceofSiGeB

5、iCMOSisbetweenGaAsandCMOSwithrelativelylowcostandcompatiblewithCMOScircuits，itisagoodchoiceformediumoutputpowerapplications1histhesispresentsthedesignofpoweramplifiersforWLANandKabandapplicationrespectivelyinCMOS，SiGeBiC

6、MOS，GaAstechnology(1)thefirstoneusedwithSMICO18urnCMOStechnologyoperatesat24GHzanditusestwocascadestage。withthepowerof5Vthesimulationshowthatthesmallsignalgainisabout22dB，theoutputpoweratldBcompressionpoimisabout20dBm，an

7、dthePAEismot@than15％，thesaturatedoutputpowerisabout24dBm，andthePAEismorethan20％，thetotalareaofthechipiS14mmO96ram；(2)thesecondoneusedwithIBM5PAE035urnSiGeBiaMOStechnologyoperatesat525GHzitincludestwostage，thesimulationsh

8、owthatthesmallsignalgainisabout28dB，theoutputpoweratldBcompressionpointisabout26dBm，andthePAEismorethanl5％，thesamratedoutputpowerismorethan29dBmat33Vpowerthetotal繃ofthechipis156ram12ram；(3)thethirdoneusedwithWINO15urnGaA

9、stechnologyworkedbetween27GHzand32GHzitincludesthreestage，withthepowerof5V，thesimulationshowthatthesmallsignalgainisabout20dB，theoutputpoweratldBcompressionpointismorethan26dBm。thesaturatedoutputpowerisabout30dBm，andtheP

10、AEismot@than25％，thetotal蝴ofthechipis276ram115ramCircuitdesign，simulationlayoutdrawingandmeasurementofthechiparepresentedindetailinthisthesisComparedwiththroeamplifierusedthreetechnologyrespectivelythenthedetailedanalysis

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