CMOS射頻線性功率放大器研究.pdf

1、隨著無(wú)線通信的發(fā)展，越來(lái)越多的通信標(biāo)準(zhǔn)都采用幅度/相位相結(jié)合的調(diào)制方式以提高頻譜利用率，這樣對(duì)處于發(fā)射機(jī)最后一級(jí)的功率放大器的線性度提出了更為嚴(yán)格的要求。功率放大器是通信系統(tǒng)中非線性最強(qiáng)的器件之一，其非線性失真將導(dǎo)致頻譜擴(kuò)展而干擾鄰道信號(hào)并惡化誤碼率。線性化技術(shù)是克服功率放大器非線性影響的有效手段。另一方面，從集成電路的角度來(lái)看，CMOS工藝是當(dāng)前集成電路制造的主流工藝，以CMOS工藝實(shí)現(xiàn)單片集成的功率放大器會(huì)降低成本，也為將來(lái)實(shí)現(xiàn)數(shù)字

2、基帶單元和射頻單元的系統(tǒng)單片集成奠定基礎(chǔ)。因此，對(duì)CMOS線性功率放大器的研究具有重要價(jià)值。 本論文重點(diǎn)研究了提高功率放大器線性度的方法并設(shè)計(jì)了可應(yīng)用于2.4GHz-2.5GHz ISM頻段短程無(wú)線通信的低壓線性CMOS功率放大器。論文提出了一種新穎的“自適應(yīng)”偏置，并將其應(yīng)用于具有兩級(jí)結(jié)構(gòu)的功率放大器的輸出級(jí)，動(dòng)態(tài)地調(diào)節(jié)輸出級(jí)的偏置電壓，從電路層面改進(jìn)了功率放大器的線性度。這種偏置自適應(yīng)技術(shù)在一定程度上改善了功率放大器的性能：