氮化鎵基LED芯片的制備研究.pdf

1、GaN是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，在室溫下其直接帶隙寬度為3.39eV，具有熱導(dǎo)率高、耐高溫、耐酸堿、高硬度等特性，是第三代半導(dǎo)體的代表。這些特性使GaN基材料廣泛地被用于藍(lán)、綠、紫外發(fā)光二極管和激光器，以及高溫大功率器件。發(fā)光二極管是直接把電能轉(zhuǎn)換成光的半導(dǎo)體器件，同傳統(tǒng)的光源相比具有壽命長(zhǎng)、可靠性高、低能耗等特點(diǎn)。 本文研究了GaN的外延生長(zhǎng)、LED芯片的制造工藝，獲得的主要結(jié)果如下： 1、用透明的ITO薄膜代替半透明的

2、Ni/Au金屬薄膜作為L(zhǎng)ED的電流擴(kuò)展層，制備了GaN基發(fā)光二極管，并研究了它的電學(xué)性能和光學(xué)性能。在相同的驅(qū)動(dòng)電流下，ITO/LED具有更高的光輸出功率。同時(shí)，ITO/LED保持了很好的可靠性。經(jīng)過(guò)1000小時(shí)的30毫安的驅(qū)動(dòng)電流的老化，ITO/LED的光輸出功率仍然在初始功率的80﹪以上。 2、應(yīng)用ICP干法刻蝕和自然光刻技術(shù)，粗化GaN基LED芯片的透明導(dǎo)電薄膜ITO。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，粗化的ITO表面極大地改善了GaN基LE