氮化鎵基LED芯片的制備研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、GaN是一種寬禁帶半導體材料，在室溫下其直接帶隙寬度為3.39eV，具有熱導率高、耐高溫、耐酸堿、高硬度等特性，是第三代半導體的代表。這些特性使GaN基材料廣泛地被用于藍、綠、紫外發(fā)光二極管和激光器，以及高溫大功率器件。發(fā)光二極管是直接把電能轉(zhuǎn)換成光的半導體器件，同傳統(tǒng)的光源相比具有壽命長、可靠性高、低能耗等特點。 本文研究了GaN的外延生長、LED芯片的制造工藝，獲得的主要結(jié)果如下： 1、用透明的ITO薄膜代替半透明的

2、Ni/Au金屬薄膜作為LED的電流擴展層，制備了GaN基發(fā)光二極管，并研究了它的電學性能和光學性能。在相同的驅(qū)動電流下，ITO/LED具有更高的光輸出功率。同時，ITO/LED保持了很好的可靠性。經(jīng)過1000小時的30毫安的驅(qū)動電流的老化，ITO/LED的光輸出功率仍然在初始功率的80﹪以上。 2、應用ICP干法刻蝕和自然光刻技術，粗化GaN基LED芯片的透明導電薄膜ITO。實驗結(jié)果表明，粗化的ITO表面極大地改善了GaN基LE

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