可控硅整流橋并聯(lián)均流問(wèn)題的研究.pdf_第1頁(yè)
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1、隨著電力電子技術(shù)的飛速發(fā)展，單個(gè)可控硅的容量獲得了顯著的提高，但是對(duì)于更大功率的裝置來(lái)說(shuō)，將可控硅并聯(lián)起來(lái)使用是非常重要的，但由于可控硅并聯(lián)使用時(shí)電流不均衡，同樣的可控硅承受的電流有很大的差別，因此，可控硅的并聯(lián)必須采用適當(dāng)?shù)木鞔胧?br>　　 為了避免可控硅并聯(lián)的均流問(wèn)題，整流橋模塊的并聯(lián)技術(shù)現(xiàn)已成為電力電子領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)。整流橋并聯(lián)可以增加系統(tǒng)容量，現(xiàn)已被廣泛應(yīng)用于冶煉、醫(yī)療儀器等高性能的電源系統(tǒng)。例如，在電解、電鍍等工業(yè)應(yīng)用

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