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1、TiO2光催化技術(shù)具有重要的應(yīng)用前景,是國(guó)際上廣泛研究的課題。然而,由于TiO2的光生載流子的復(fù)合速度快,量子產(chǎn)量低,禁帶寬度較大,光譜響應(yīng)范圍窄,不利于太陽(yáng)光中可見(jiàn)光部分的有效利用,這些都嚴(yán)重限制了TiO2光催化材料的廣泛應(yīng)用。因此,為了提高催化效率和利用可見(jiàn)光,本文開(kāi)展了以下幾個(gè)方面的研究工作: (1)采用反應(yīng)磁控濺射法制備出銳鈦礦納米TiO2薄膜,通過(guò)UV-Vis光譜、XRD、SEM、FE-SEM和Raman等測(cè)試技術(shù)對(duì)樣
2、品進(jìn)行表征,確定用來(lái)做光催化實(shí)驗(yàn)的TiO2薄膜的制備條件是:基片溫度為290℃,濺射時(shí)間為60 min。這時(shí)制備出的TiO2薄膜膜厚適中、禁帶寬度為3.21 eV、致密、平整、光滑、晶粒分布均勻。 (2)采用CBD法制備出納米CdS薄膜,通過(guò)UV-Vis光譜,XRD、SEM、FE-SEM和Raman等測(cè)試技術(shù)對(duì)樣品進(jìn)行表征,確定用來(lái)做光催化實(shí)驗(yàn)的CdS薄膜的制備條件是:油浴溫度80℃,pH 10,沉積時(shí)間120 min,Cd2+
3、/S2-=2:25。此條件下可制備出致密、平整、光滑的納米CdS薄膜,其晶粒大小大約40 nm。 (3)采用自制光電催化反應(yīng)裝置,比較了TiO2、CdS和TiO2-CdS薄膜的光催化和光電催化效果,進(jìn)行了以TiO2薄膜為工作電極,CdS薄膜為對(duì)電極的TiO2-CdS薄膜體系的恒電流電場(chǎng)作用光催化研究,考察了單光束紫外光照射TiO2薄膜、可見(jiàn)光照射CdS薄膜和雙光束誘導(dǎo)光電協(xié)同作用光催化性能,最后對(duì)TiO2-CdS薄膜體系在施加系
4、統(tǒng)恒電流和恒電位的光電催化實(shí)驗(yàn)做了詳細(xì)研究。結(jié)果表明,光電催化的降解效率明顯高于光催化效率,TiO2-CdS薄膜雙光束誘導(dǎo)光(電)催化效率明顯優(yōu)于單光束TiO2薄膜和CdS薄膜的光(電)催化活性之和,同時(shí),在負(fù)恒電流和正偏壓的電場(chǎng)作用下,可將TiO2薄膜上的電子反向抽取到CdS薄膜上,隨電流和電壓絕對(duì)值的增加,其光催化效率增強(qiáng)。 (4)通過(guò)對(duì)光電催化前后的TiO2薄膜和CdS薄膜進(jìn)行表征,同時(shí)測(cè)試TiO2薄膜的V-I曲線和光催化
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