納米半導體ZnO-Cu-,2-O復合材料的制備和表征.pdf

1、ZnO是具有良好光電功能的半導體材料，其薄膜是制備各種光電器件和UV光發(fā)生器件的優(yōu)秀材料，Cu2O也是非常具有潛力的太陽能電池材料。制備大面積的ZnO和Cu2O薄膜，對于它們的性質(zhì)和應用研究十分具有意義。本文通過電化學陰極沉積方法制備了一系列的納米ZnO薄膜和ZnO/Cu2O復合材料薄膜，并對它們做了SEM、XRD和UV-Vis光譜的表征。 在純ZnO薄膜的制備過程中，本論文采用低濃度的Zn(NO3)2作為前驅物、KCl作為支持

2、電解質(zhì)，并具體分析了各電解質(zhì)離子的濃度、電壓的大小、燒結過程以及N2的通入等因素對薄膜形貌和晶形的影響。通過控制Zn(NO3)2的濃度，可以得到可控的納米柱ZnO單晶薄膜，且在低Zn(NO3)2濃度下得到的ZnO薄膜無需燒結這一后處理過程。 在ZnO/Cu2O復合材料制備過程中，本文對三種不同的溶液體系的選擇、沉積電壓的大小、溶液的pH值、池溫等條件對薄膜的形貌和晶體結構所產(chǎn)生的影響進行了研究。通過選擇合適的體系和控制適宜的條件