ZnO粉末電子與質(zhì)子輻照損傷效應.pdf

1、本文通過質(zhì)子、電子單獨及綜合輻照揭示帶電粒子輻照下ZnO粉末光譜反射系數(shù)的變化及其輻照損傷機理。輻照試驗條件為:電子通量?e=1×1012cm-2·s-1,能量Ee=70110keV,注量Φe=3×1015cm-22×1016cm-2。質(zhì)子輻照通量?p=5×1011cm-2·s-1,能量Ep=90keV,輻照注量Φp=5×1014cm-21×1016cm-2。電子、質(zhì)子綜合輻照(同時輻照及順序輻照)條件為Ee=Ep=90keV,其余參數(shù)

2、與電子、質(zhì)子單因素輻照條件相同。質(zhì)子輻照條件下,ZnO粉末光譜反射系數(shù)隨輻照注量增加而減小。光學性能退化主要發(fā)生在可見光區(qū)。ZnO粉末表面隨輻照注量的增加由白色變?yōu)槲ⅫS色直至黃褐色。光致熒光光譜解析結(jié)果表明,輻照誘發(fā)大量的氧空位型點缺陷,即形成色心,這是質(zhì)子輻照下ZnO粉末光學性能退化的主要原因。電子輻照條件下,ZnO粉末光譜反射系數(shù)隨輻照注量增加無明顯變化,試樣表面基本不變色。光致熒光光譜解析表明電子輻照后樣品中形成大量的鋅空位和鋅填