基于電磁屏蔽的箱體設(shè)計(jì)及有限元仿真的研究.pdf_第1頁(yè)
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1、電磁屏蔽是為了驗(yàn)證電子設(shè)備電磁兼容性設(shè)計(jì)的合理性以及電子設(shè)備質(zhì)量的手段,同時(shí)在產(chǎn)品設(shè)計(jì)前后利用ANSYS電磁場(chǎng)分析可以科學(xué)地評(píng)價(jià)電子設(shè)備是否符合電磁兼容性標(biāo)準(zhǔn)或規(guī)范.提高電子儀器箱體的電磁屏蔽效能,可分為防止低頻干擾的磁屏蔽以及防止高頻場(chǎng)干擾的電磁屏蔽,其中結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)以及材料研制是主要手段,而通過(guò)ANSYS有限元仿真技術(shù)建立電磁場(chǎng)環(huán)境加以分析是一條有效的途徑. 在低頻段,材料的選擇及接地處理為影響屏蔽設(shè)計(jì)的主要因素.文中采用化學(xué)沉

2、積方法制備稀土鎳基的Ni-Fe-B合金鍍層,并通過(guò)ANSYS分析考察了電磁波頻率和材料厚度的變化,以及稀土的加入對(duì)常態(tài)下和在鹽霧腐蝕下的Ni-Fe-B合金鍍層電磁屏蔽性能的影響,說(shuō)明Ni-Fe-B合金不僅電磁屏蔽性能良好,而且具有優(yōu)良的耐腐蝕性. 在高頻段,隨著頻率的增高,材料種類及厚度的影響變?yōu)榇我蛩?利用ANSYS電磁場(chǎng)分析,文中研究了箱體上所存在的各類孔洞面積和縫隙尺寸,對(duì)箱體電磁泄露大小的影響,以達(dá)到盡可能提高箱體的通

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