磷化鍺鋅晶體的生長(zhǎng)研究及理論計(jì)算.pdf

1、黃銅礦類(lèi)半導(dǎo)體晶體材料具有兩個(gè)突出的優(yōu)點(diǎn)：非線(xiàn)性光學(xué)系數(shù)大和中、遠(yuǎn)紅外區(qū)透光波段寬，是目前最有吸引力的，具有重要應(yīng)用背景的紅外非線(xiàn)性光學(xué)材料。磷化鍺鋅晶體是其中性能的最優(yōu)者。本論文圍繞這種晶體進(jìn)行了研究和討論。
　　對(duì)磷化鍺鋅晶體(ZnGeP2)進(jìn)行了生長(zhǎng)研究。采用改進(jìn)的單溫區(qū)法合成了ZnGeP2多晶料，經(jīng)過(guò)XRD和TG表征，顯示其質(zhì)量達(dá)到標(biāo)準(zhǔn)樣品的要求，可以作為晶體生長(zhǎng)的原料；采用可視水平小角度傾斜溫梯冷凝法生長(zhǎng)了ZnGeP2晶

2、體，通過(guò)觀察其截?cái)嗝?，顯示其品質(zhì)符合單晶的標(biāo)準(zhǔn)。
　　對(duì)理想ZnGeP2進(jìn)行了理論計(jì)算?；诿芏确汉碚?，采用第一性原理平面波贗勢(shì)法，對(duì)理想ZnGeP2晶體的結(jié)構(gòu)進(jìn)行了優(yōu)化，從理論上給出了該晶體的晶格參數(shù)和單點(diǎn)能，為該晶體的研究提供了理論依據(jù)。計(jì)算了理想ZnGeP2晶體的能帶結(jié)構(gòu)、態(tài)密度和吸收光譜，該晶體是具有贗直接能隙的，吸收光譜的成因與電子從價(jià)帶到導(dǎo)帶的躍遷有關(guān)，而峰的位置則與電子態(tài)密度分布有直接關(guān)系。
　　對(duì)缺陷ZnG