近等原子比TiNi合金薄膜的制備與馬氏體相變機(jī)理的研究.pdf

1、本論文主要研究近等原子比TiNi合金薄膜的制備工藝以及TiNi合金薄膜在動(dòng)態(tài)加熱、冷卻過(guò)程所發(fā)生的相變,揭示了TiNi合金薄膜從奧氏體到馬氏體的演變過(guò)程。論文主要通過(guò)自制TiNi合金靶材,并運(yùn)用磁控濺射法來(lái)制備TiNi合金薄膜,而且對(duì)薄膜進(jìn)行晶化處理,并在X射線(xiàn)衍射、透射電子顯微鏡、掃描電子顯微鏡等現(xiàn)代分析手段觀察TiNi合金的組織及表面形貌,最后再通過(guò)動(dòng)態(tài)加熱、冷卻來(lái)觀察TiNi合金薄膜中的相變過(guò)程,并得出以下結(jié)論:1.用磁控濺射法制

2、備TiNi合金薄膜時(shí),其主要影響因素依次為濺射電流(功率)、工作氣壓和靶基距。此時(shí)的薄膜為非晶薄膜,但有時(shí)也有部分被晶化。2.經(jīng)過(guò)實(shí)驗(yàn),磁控濺射法制備TiNi合金薄膜的最佳參數(shù)為:濺射電流為0.7A,工作氣壓為0.6Pa,靶基距為55mm。3.在對(duì)TiNi合金薄膜進(jìn)行晶化處理時(shí),其溫度應(yīng)在600℃左右,退火處理時(shí)間為1小時(shí),此時(shí)薄膜完全被晶化,但同時(shí)也有TiNi3等析出相產(chǎn)生。4.通過(guò)對(duì)TiNi合金薄膜進(jìn)行連續(xù)加熱冷卻時(shí)發(fā)現(xiàn),室溫狀態(tài)T

3、iNi合金薄膜主要以R相及少量的馬氏體相存在,在高溫狀態(tài)主要以?shī)W氏體相存在。5.當(dāng)TiNi合金薄膜加熱到70℃時(shí),TiNi合金薄膜以?shī)W氏體形式存在;當(dāng)冷卻至室溫甚至更低的溫度時(shí),基本上是以R相和馬氏體相存在。6.TiNi合金薄膜的相變不是由馬氏體直接轉(zhuǎn)變?yōu)閵W氏體的,與TiNi合金的相變相似,其加熱的相變順序?yàn)?馬氏體相→R相→奧氏體相;冷卻的相變順序?yàn)?奧氏體相→R相→馬氏體相。7.經(jīng)過(guò)對(duì)電子衍射花樣的標(biāo)定,母相B2相與R相的取向關(guān)系為