復(fù)合摻雜對貧鐵配方的MnZn功率鐵氧體材料電、磁性能的影響.pdf

1、MnZn鐵氧體材料是現(xiàn)代電子工業(yè)及信息產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)材料之一。隨著通訊技術(shù)、電子技術(shù)和計算機技術(shù)的飛速發(fā)展，要求MnZn功率鐵氧體朝著高頻、低損耗方向發(fā)展。本文首先介紹MnZn功率鐵氧體的研究現(xiàn)狀，綜述了鐵氧體的晶體結(jié)構(gòu)與磁性的來源、MnZn鐵氧體形成的固相反應(yīng)過程、降低MnZn鐵氧體損耗的方法以及鐵氧體的一些基本電磁參數(shù)。本文采用氧化物陶瓷工藝制備MnZn鐵氧體材料，對具有低損耗的MnZn功率鐵氧體的配方、摻雜、燒結(jié)溫度及性能進行了研究。

2、
　　 貧鐵配方實驗表明，材料在貧鐵配方下表現(xiàn)出較高的電阻率，當Fe2O3為48mol％時，材料的電阻率達到較高的19.3Ω?m。這主要是因為貧鐵配方減少了鐵含量，從而減小了Fe3+和Fe2+間的電子躍遷，增大了材料的電阻率，減小了材料的渦流損耗。
　　 通過SnO2和ZrO2復(fù)合摻雜實驗發(fā)現(xiàn)，加入適量的上述微量添加物均可以有效降低功率鐵氧體材料的磁損耗，其原因在于：Zr4+離子在鐵氧體的晶界處大量聚集，在晶界形成了高電

3、阻率晶界絕緣層，提高了鐵氧體的電阻率，從而降低鐵氧體的渦流損耗；Sn4+離子能夠溶入到尖晶石晶格中，與Fe2+離子形成了穩(wěn)定的Fe2+-Sn4+電子對，不參與電子的交換，從而提高了鐵氧體晶粒內(nèi)部的電阻率；同時Sn4+離子也能與Ca2+、Si4+離子一起形成具有高電阻率的晶界層，提高了鐵氧體晶界的電阻率，降低了鐵氧體的渦流損耗。復(fù)合摻雜能夠明顯地提高材料的電、磁性能，當ζ(SnO2:ZrO2)為3:1時性能達到最佳。
　　 通過燒