用于MMIC硅基雙極型高頻微波晶體管結(jié)構(gòu)、性能研究及工藝開發(fā).pdf

1、在超高速集成電路領(lǐng)域中硅雙極技術(shù)占有重要的地位，這是因?yàn)殡p極器件比MOS器件具有更強(qiáng)的驅(qū)動(dòng)能力，更大的跨導(dǎo)和更快的速度。近年來一系列新的雙極型器件結(jié)構(gòu)，工藝技術(shù)的開發(fā)成功，使硅雙極電路速度發(fā)展令人矚目。 本文闡述了在傳統(tǒng)晶體管結(jié)構(gòu)和單層多晶硅發(fā)射極結(jié)構(gòu)基礎(chǔ)上設(shè)計(jì)了雙極型雙層多晶硅發(fā)射極器件結(jié)構(gòu)，并針對(duì)該結(jié)構(gòu)開發(fā)了相應(yīng)的雙多晶工藝。該雙層多晶硅發(fā)射極結(jié)構(gòu)的主要特點(diǎn)是發(fā)射結(jié)硅表面上的多晶硅與作為外基區(qū)引線的多晶硅在縱向上形成交疊，使

2、外基區(qū)建立在厚氧化層上，不僅縮小了晶體管橫向上的尺寸，還大幅度減少了寄生電容。與傳統(tǒng)的雙極型工藝相比，該工藝關(guān)鍵優(yōu)勢(shì)在于基于標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝平臺(tái)制造，超細(xì)微線條，采用超淺發(fā)射結(jié)注入、深槽隔離以及二次濃硼注入工藝等先進(jìn)技術(shù)，制造出具有更高頻率，更大功率增益，較低噪聲系數(shù)，易于電路匹配以及更高集成性的單片式分立器件。流片結(jié)果顯示，采用本文描述的工藝方法制造出的高頻微波晶體管其增益帶寬乘積fT在Ic=25mA，VCE=2V，f=2GHz條件約