電沉積制備CuInSe-,2-和Cu（In，Ga）Se-,2-薄膜及性能表征.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、本文以氯化銅,三氯化銦,三氯化鎵、亞硒酸和絡(luò)合劑檸檬酸鈉的水溶液為電解液,在鍍Mo薄膜的鈉鈣玻璃襯底上采用恒電位電沉積方法制備出太陽能電池薄膜材料CIS和CIGS薄膜.對制備的薄膜進(jìn)行熱處理以提高薄膜的化學(xué)計(jì)量比.通過X射線衍射儀(XRD)、掃描電鏡(SEM)、掃描電鏡自帶能譜儀(EDS)以及Van der Pauw方法對制備的薄膜的各種性能進(jìn)行表征.首先采用磁控濺射方法制備了Mo薄膜襯底,制備的薄膜具有較小的電阻率,良好的結(jié)合力,表面

2、平滑,結(jié)構(gòu)致密,符合太陽能電池的歐姆接觸要求.然后對CIS薄膜的電沉積制備及其影響因素進(jìn)行了研究分析與討論.結(jié)果表明利用電沉積方法可以制備出黃銅礦結(jié)構(gòu)的CIS薄膜,所制備的薄膜經(jīng)過硒化退火后結(jié)晶性能變好.所制備的CIS薄膜當(dāng)Cu/In<1時(shí),導(dǎo)電類型為n型,當(dāng)Cu/In>1時(shí),所制備的CIS薄膜的導(dǎo)電類型為p型.硒化退火后薄膜具有較小的電阻率,而且具有較高的遷移率和載流子濃度.光學(xué)性能表明在室溫下的光學(xué)禁帶寬度E<,g>在1.04~1.

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