摻雜GdVO-,4-晶體的生長及其光譜特征.pdf

1、GdVO4晶體是一種優(yōu)良的激光基質(zhì)材料,本文對(duì)其進(jìn)行了研究,包括生長工藝、缺陷、稀土離子的摻雜、光譜分析以及相關(guān)計(jì)算。 論文對(duì)晶體提拉法生長的裝置、過程以及影響晶體生長的因素進(jìn)行了詳細(xì)的分析,確定了合適的生長工藝參數(shù)：轉(zhuǎn)速為20r/min左右；提拉速度為1～2mm/h。生長出了質(zhì)量良好的GdVO4、Pr:GdVO4和Yb:GdVO4,尤其Pr:GdVO4晶體的生長尚屬首次。 通過X射線粉末衍射實(shí)驗(yàn)確定了晶體的晶胞參數(shù),結(jié)

2、果表明稀土離子的摻雜對(duì)晶體結(jié)構(gòu)的影響不大。采用侵蝕法對(duì)晶體進(jìn)行了位錯(cuò)分析試驗(yàn),對(duì)晶體宏觀和微觀缺陷進(jìn)行了分析。 對(duì)Pr:GdVO4晶體的吸收光譜進(jìn)行了測(cè)試,獲得了晶體的軸譜圖、σ譜圖和π譜圖。分別測(cè)試了在404nm、483nm、488nm和532nm光源激發(fā)下的熒光光譜,通過對(duì)吸收光譜和熒光光譜的分析,確定了晶體中Pr3+離子的能級(jí),并根據(jù)Judd-Ofelt理論,首次計(jì)算了Pr3+離子在GdVO4晶體中的唯象參數(shù)Ωt(t=2,