2023年全國碩士研究生考試考研英語一試題真題(含答案詳解+作文范文)_第1頁
已閱讀1頁,還剩114頁未讀, 繼續(xù)免費(fèi)閱讀

下載本文檔

版權(quán)說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)

文檔簡介

1、本論文“GaAs基多量子阱和自組織量子點(diǎn)材料的MBE優(yōu)化生長及其特性的研究”的內(nèi)容包括:MBE系統(tǒng)原理與外延材料的表征方法、多量子阱材料的生長與結(jié)構(gòu)特性研究、AlxGa1-xAs/GaAs多量子阱材料的光譜和非線性光學(xué)性質(zhì)研究、In(Al)As量子點(diǎn)材料的自組織生長與拉曼散射研究共4個(gè)主要部分。本論文主要研究成果如下: 1.在固態(tài)源MBE生長AlGaAs/GaAs和InP/InP高遷移率外延材料的研究中,解決了含磷材料生長的兼容

2、性問題。采取合理的工藝方法和生長條件的改進(jìn),有效改善了磷化物生長后系統(tǒng)的真空度,并獲得了極高遷移率的高質(zhì)量二維電子氣材料,成功實(shí)現(xiàn)了一個(gè)固體磷源MBE系統(tǒng)中高質(zhì)量含磷和無磷材料的交替生長。 2.利用傳輸矩陣?yán)碚撚?jì)算了不同周期AlAs/GaAsDBR結(jié)構(gòu)的反射率譜和光強(qiáng)分布。在理論計(jì)算的指導(dǎo)下,通過MBE外延生長的工藝優(yōu)化,獲得了最大反射率達(dá)99.5%,中心波長和帶寬與理論值非常接近的高質(zhì)量AlAs/GaAsDBR材料。

3、3.通過MBE交替生長不同半導(dǎo)體超薄周期結(jié)構(gòu)的控制技術(shù),獲得了晶格完整性好、周期厚度均勻、界面質(zhì)量良好的AlGaAs/GaAs多量子阱超晶格材料。利用反射式Z-scan方法在帶隙之上的共振條件下研究了不同多量子阱樣品的非線性光學(xué)效應(yīng),并對導(dǎo)致多量子阱材料非線性吸收的可能物理機(jī)制進(jìn)行了討論。 4.在InAs自組織量子點(diǎn)材料的低溫拉曼散射研究中,觀察到InAsQD的聲子峰位置隨淀積厚度的增加發(fā)生紅移現(xiàn)象,這與以往報(bào)道的實(shí)驗(yàn)現(xiàn)象具有差

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁內(nèi)容里面會有圖紙預(yù)覽,若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲空間,僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

最新文檔

評論

0/150

提交評論